技術分野
本発明の一態様は、論理回路に関する。また、該論理回路を用いた駆動回路を含む半導体
装置に関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、表示装置などの電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置で
ある。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
駆動回路は、シフトレジスタ及びバッファなどによって構成され、さらにシフトレジスタ
又はバッファは、論理回路を用いて構成される。また、論理回路は、トランジスタを用い
て構成されるが、従来のトランジスタは、オフ状態であってもリーク電流が発生する場合
がある。リーク電流が発生すると、例えば論理回路において出力信号の電圧の値を一定の
範囲に維持したい場合であっても、出力信号の値が変化し、誤動作する可能性がある。
本発明の一態様では、トランジスタのリーク電流を低減することを課題とし、また、トラ
ンジスタのリーク電流を低減することにより論理回路の誤動作を抑制することを課題とす
る。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、オフ電流が低く、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体
層を有するトランジスタを、論理回路を構成するトランジスタとして用いたものである。
これにより論理回路における誤動作の抑制を図る。
【発明の効果】
本発明の一態様により、トランジスタにおけるリーク電流を低減することができ、また、
トランジスタのリーク電流を低減することにより出力信号の電圧を所望の範囲の値に維持
することができるため、誤動作を抑制することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】実施の形態1における論理回路の構成の一例を示す図。
【図2】実施の形態1におけるシフトレジスタの構成の一例を示す回路図。
【図3】図2に示すシフトレジスタの動作の一例を説明するためのタイミングチャート。
【図4】実施の形態1における半導体装置を説明するブロック図。
【図5】実施の形態1における信号線駆動回路の構成を説明する図および信号線駆動回路のタイミングチャート。
【図6】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図7】トランジスタを説明する図。
【図8】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図9】トランジスタを説明する図。
【図10】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図11】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図12】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図13】トランジスタの作製方法を説明する図。
【図14】トランジスタを説明する図。
【図15】半導体装置を説明する図。
【図16】半導体装置の画素等価回路を説明する図。
【図17】半導体装置を説明する図。
【図18】半導体装置を説明する図。
【図19】半導体装置を説明する図。
【図20】電子機器を示す図。
【図21】電子機器を示す図。
【図22】電子機器を示す図。
【図23】電子機器を示す図。
【図24】酸化物半導体を用いたMOSトランジスタのソース−ドレイン間のバンド構造を示す図。
【図25】図24においてドレイン側に正の電圧が印加された状態を示す図。
【図26】酸化物半導体を用いたMOSトランジスタのMOS構造のエネルギーバンド図であり、(A)ゲート電圧を正とした場合、(B)ゲート電圧を負とした場合を示す図。
【図27】シリコンMOSトランジスタのソース−ドレイン間のバンド構造を示す図。
【図28】薄膜トランジスタの初期特性を示す図。
【図29】薄膜トランジスタの構造を示す上面図。
【図30】薄膜トランジスタのVg−Id特性を示す図。
【図31】半導体装置を説明する図。
100 論理回路
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 容量素子
104 トランジスタ
105 トランジスタ
106 容量素子
107 トランジスタ
108 トランジスタ
109 容量素子
110 トランジスタ
111 トランジスタ
112 容量素子
121 ノード
122 ノード
123 ノード
124 ノード
131 単位論理回路
132 単位論理回路
141 期間
142 期間
143 期間
144 期間
145 期間
146 期間
147 期間
148 期間
149 期間
150 期間
151 論理回路
152 論理回路
153 論理回路
300 基板
302 ゲート絶縁層
303 保護絶縁層
310 薄膜トランジスタ
311 ゲート電極層
313 チャネル形成領域
314a 高抵抗ソース領域
314b 高抵抗ドレイン領域
315a ソース電極層
315b ドレイン電極層
316 酸化物絶縁層
320 基板
322 ゲート絶縁層
323 保護絶縁層
330 酸化物半導体膜
331 酸化物半導体層
332 酸化物半導体層
340 基板
342 ゲート絶縁層
343 保護絶縁層
345 酸化物半導体膜
346 酸化物半導体層
350 薄膜トランジスタ
351 ゲート電極層
352 酸化物半導体層
355a ソース電極層
355b ドレイン電極層
356 酸化物絶縁層
360 薄膜トランジスタ
361 ゲート電極層
362 酸化物半導体層
363 チャネル形成領域
364a 高抵抗ソース領域
364b 高抵抗ドレイン領域
365a ソース電極層
365b ドレイン電極層
366 酸化物絶縁層
370 基板
372a 第1のゲート絶縁層
372b 第2のゲート絶縁層
373 保護絶縁層
380 薄膜トランジスタ
381 ゲート電極層
382 酸化物半導体層
385a ソース電極層
385b ドレイン電極層
386 酸化物絶縁層
390 薄膜トランジスタ
391 ゲート電極層
392 酸化物半導体層
393 酸化物半導体膜
394 基板
395a ソース電極層
395b ドレイン電極層
396 酸化物絶縁層
397 ゲート絶縁層
398 保護絶縁層
399 酸化物半導体層
400 基板
402 ゲート絶縁層
407 絶縁層
410 薄膜トランジスタ
411 ゲート電極層
412 酸化物半導体層
414a 配線層
414b 配線層
415a ソース電極層又はドレイン電極層
415b ソース電極層又はドレイン電極層
420 シリコン基板
421a 開口
421b 開口
422 絶縁層
423 開口
424 導電層
425 薄膜トランジスタ
426 薄膜トランジスタ
427 導電層
438 配線層
450 基板
452 ゲート絶縁層
457 絶縁層
460 薄膜トランジスタ
461 ゲート電極層
461a ゲート電極層
461b ゲート電極層
462 酸化物半導体層
464 配線層
465a ソース電極層又はドレイン電極層
465a1 ソース電極層又はドレイン電極層
465a2 ソース電極層又はドレイン電極層
465b ソース電極層又はドレイン電極層
468 配線層
580 基板
581 薄膜トランジスタ
583 酸化シリコン層
584 保護絶縁層
585 絶縁層
587 電極層
588 電極層
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填材
596 対向基板
1600 携帯電話機
1601 筐体
1602 表示部
1603a 操作ボタン
1603b 操作ボタン
1604 外部接続ポート
1605 スピーカー
1606 マイク
1800 筐体
1801 筐体
1802 表示パネル
1803 スピーカー
1804 マイクロフォン
1805 操作キー
1806 ポインティングデバイス
1807 カメラ用レンズ
1808 外部接続端子
1810 キーボード
1811 外部メモリスロット
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカー
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4040 導電層
4041 絶縁層
4042 保護絶縁層
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4503b 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4504b 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極
4518a FPC
4518b FPC
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
4540 導電層
4542 酸化シリコン層
4543 オーバーコート層
4544 絶縁層
4545 カラーフィルタ層
4550 配線層
4551 絶縁層
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 走査線駆動回路
5304 信号線駆動回路
5305 タイミング制御回路
5601 シフトレジスタ
5602 スイッチング回路
5603 薄膜トランジスタ
5604 配線
5605 配線
6400 画素
6401 スイッチング用トランジスタ
6402 駆動用トランジスタ
6403 容量素子
6404 発光素子
6405 信号線
6406 走査線
6407 電源線
6408 共通電位線
7001 駆動用TFT
7002 発光素子
7003 電極
7004 EL層
7005 電極
7009 隔壁
7011 駆動用TFT
7012 発光素子
7013 電極
7014 EL層
7015 電極
7016 遮蔽膜
7017 導電膜
7019 隔壁
7021 駆動用TFT
7022 発光素子
7023 電極
7024 EL層
7025 電極
7026 電極
7027 導電膜
7029 隔壁
7031 絶縁層
7032 絶縁層
7033 カラーフィルタ層
7034 オーバーコート層
7035 保護絶縁層
7036 平坦化絶縁層
7041 絶縁層
7042 絶縁層
7043 カラーフィルタ層
7044 オーバーコート層
7045 保護絶縁層
7046 平坦化絶縁層
7051 酸化シリコン層
7052 保護絶縁層
7053 平坦化絶縁層
7055 絶縁層
7056 平坦化絶縁層
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカー部
9885 操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録