特許6353440IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

[政府の許認可権] 本発明は、DARPAによって与えられる助成金第HR0011−9−0009号の下で政府支援によって作成された。政府は、本発明におけるある権利を有する。 本明細書に説明する様々な導波路を、それを支持する基板に含まれる材料から光学的に減結合すること

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明に従って形成されたSOI構造の実施形態を断面図で示す。

【図2A】図1の構造で用いられる本体ウエハを形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図2B】図1の構造で用いられる本体ウエハを形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図3A】図1の構造で用いられるハンドルウエハを形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図3B】図1の構造で用いられるハンドルウエハを形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図3C】図1の構造で用いられるハンドルウエハを形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図3D】図1の構造で用いられるハンドルウエハを形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図4A】図1の実施形態を形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図4B】図1の実施形態を形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図4C】図1の実施形態を形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図4D】図1の実施形態を形成するプロセスを連続する断面図で示す。

【図4E】図1の実施形態を形成するプロセスを連続する断面図で示す。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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