【図1】金属基板上に形成されたゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ構造体のＳＥＭ像。差し込み図はその部分拡大像。

【図2】Ｇｅナノ構造体上に形成されたＳｉナノ構造体のＳＥＭ像。差し込み図はその部分拡大像。

【図3】Ｇｅナノ構造体の上にＳｉナノ構造体を形成して得られたＳｉ系ナノ構造材料の比較的広い領域の断面ＴＥＭ像。

【図4】図３に示すＳｉ系ナノ構造材料の内部構造が見えるようにするための、更に高倍率のＴＥＭ像。

【図5】Ｇｅナノ構造体上に形成されたＳｉナノ構造体をエネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＸ）法を利用して得た組成分析結果を示す図。

【図6】コインタイプハーフセルの内部構造を概念的に示す分解図。

【図7】Ｓｉ系ナノ構造材料を負極に使用したハーフセルの充放電特性を示すグラフ。

【図8】Ｓｉ系ナノ構造材料を負極に使用したハーフセルの充放電時のサイクル特性を示すグラフ。