特許6373915IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

概して、電子装置の製造に関するものである。より具体的には、本発明は、高密度コンタクトホールパターンの形成を可能にさせるコンタクトホール形成方法に関する。本発明は、また、方法において有用なパターン処理組成物、及び、方法によって形成される電子装置に関する。本発明は、高解像度のコンタクトホールパターンを提供するための半導体装置の製造において、特定の利用可能性を見出す。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】知られているコンタクトホールパターン化プロセスにおける電子装置基板の上面図を描写する。

【図2A】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図2B】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図2C】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図2D】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図2E】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図2F】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図2G】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図2H】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第1の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3A】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3B】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3C】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3D】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3E】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3F】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3G】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図3H】本発明に従うコンタクトホール形成方法の様々な段階における第2の電子装置基板の断面図及び上面図を描写する。

【図4】実施例で形成されるコンタクトホールのSEM顕微鏡写真を提供する。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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