特許6419184IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

本願は、概して集積回路に関し、特に、集積回路におけるMOSトランジスタに関連する。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】フィールド酸化物の近隣にPMOSトランジスタを含む例示の集積回路の断面図である。

【図2A】例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の断面図である。

【図2B】例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の断面図である。

【図2C】例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の断面図である。

【図2D】例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の断面図である。

【図2E】例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の断面図である。

【図2F】例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の断面図である。

【図2G】例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の断面図である。

【図3A】代替の例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の代替のバージョンの断面図である。

【図3B】代替の例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の代替のバージョンの断面図である。

【図3C】代替の例示の製造シーケンスの継続的段階で示す、図1の集積回路の代替のバージョンの断面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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