【図1】本発明の実施の形態に係る炭化珪素単結晶の製造装置の構成を示す縦断面模式図である。

【図2】坩堝および放射温度計を配置した状態での本実施の形態に係る炭化珪素単結晶の製造装置の構成を示す縦断面模式図である。

【図3】第２抵抗ヒータの構成を示す斜視模式図である。

【図4】第２抵抗ヒータおよび端子の構成を示す平面模式図である。

【図5】第２抵抗ヒータおよび端子の構成を示す側面模式図である。

【図6】図２のＶＩ−ＶＩ線に沿った矢視横断面模式図であり、第１抵抗ヒータおよび端子の構成を示す横断面模式図である。

【図7】図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った矢視横断面模式図であり、第３抵抗ヒータおよび端子の構成を示す横断面模式図である。

【図8】本発明の実施の形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法を示すフロー図である。

【図9】本発明の実施の形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法の第１工程を示す縦断面模式図である。

【図10】坩堝の温度の時間的変化を示す図である。

【図11】チャンバ内の圧力の時間的変化を示す図である。

【図12】本発明の実施の形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法の第２工程を示す縦断面模式図である。

【図13】本発明の実施の形態の第１変形例に係る炭化珪素単結晶の製造装置における第２抵抗ヒータの構成を示す側面模式図である。

【図14】本発明の実施の形態の第１変形例に係る炭化珪素単結晶の製造装置における第２抵抗ヒータの構成を示す側面模式図である。

【図15】本発明の実施の形態の第１変形例に係る炭化珪素単結晶の製造装置における第２抵抗ヒータの構成を示す側面模式図である。

【図16】本発明の実施の形態の第１変形例に係る炭化珪素単結晶の製造装置における第２抵抗ヒータの構成を示す側面模式図である。

【図17】本発明の実施の形態の第２変形例に係る炭化珪素単結晶の製造装置における抵抗ヒータおよび端子の構成を示す平面模式図である。

【図18】本発明の実施の形態の第２変形例に係る炭化珪素単結晶の製造装置における第２抵抗ヒータおよび端子の構成を示す側面模式図である。