特許6438872IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

測定対象物を透過した電磁波に基づいて該測定対象物の画像を取得する装置に関するものである。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献1,2および非特許文献1,2の何れに記載された画像取得技術でも、取得される画像の空間分解能は、レンズ等の光学系により形成されるテラヘルツ波の集光スポットの径で決まる。何故なら、テラヘルツ波の集光径が大きいと、撮像面における画素ピッチを小さくしても、集光したテラヘルツ波を本来検出させたい画素に隣接する画素においても該テラヘルツ波が検出され、分解能が悪化するからである。 高空間分解能という観点では、波長はできる限り小さいことが好ましい。しかし、およそ波長程度の大きさが空間分解能の限界である。したがって、物質に対する透過性が高いのはサブテラヘルツ波であるが、サブテラヘルツ波の波長は数mm程度であるので、空間分解能も数mm程度となり、測定対象物の中身の状態や内容物の形状を判別することは困難となるという問題がある。 非特許文献1では、周波数0.3THzのテラヘルツ波を利用して透過画像を取得した例が示されており、画像の空間分解能は波長と同程度の1mm弱であるが、これを改善するにはより高周波にする必要があると記載されている。非特許文献2でも、画像の空間分解能は波長程度であることが記載されている。しかし、仮に、周波数を上げることで分解能を改善することができるとしても、物質透過後のテラヘルツ波のパワーが低下し、画像が取得できないか又はコントラストが劣化するなどの問題がある。 本発明は、問題点を解消する為になされたものであり、測定対象物を透過した電磁波に基づいて該測定対象物の高空間分解能の画像を取得することができる画像取得装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の画像取得装置は、(1) ビーム断面において区分される各々波長以下のサイズの複数の領域のうちの各領域の偏光状態が隣接領域の偏光状態と異なる電磁波を発生させて、その電磁波を測定対象物に照射する電磁波照射部と、(2) 電磁波照射部により測定対象物に照射された電磁波のうち測定対象物を透過した電磁波を受光する受光面を有し、受光面において区分される複数の受光領域のうちの各受光領域が、受光する電磁・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、測定対象物を透過した電磁波に基づいて該測定対象物の高空間分解能の画像を取得することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、第1実施形態の画像取得装置1の構成を示す図である。

【図2】図2は、偏光素子配列部11Aの或る1つの素子111から出力され測定対象物90を透過した電磁波T21が電磁波検出部20の受光面に入射する様子を示す図である。

【図3】図3は、第1実施形態の画像取得装置1の構成例を示す斜視図である。

【図4】図4は、偏光素子配列部11Aの構成を示す図である。

【図5】図5は、偏光素子配列部11Aの作製方法の一例を説明する図である。

【図6】図6は、偏光素子配列部11Aの作製方法の他の一例を説明する図である。

【図7】図7は、電磁波検出部20の一構成例を示す図である。

【図8】図8は、電磁波検出部20の他の一構成例を示す図である。

【図9】図9は、偏光素子配列部11Bの構成を示す図である。

【図10】図10は、偏光素子配列部11Cの構成を示す図である。

【図11】図11は、偏光素子配列部11Eの構成を示す図である。

【図12】図12は、偏光素子配列部11Aにおける素子111,112それぞれの形状の一例を示す図である。

【図13】図13は、偏光素子配列部11Aにおける素子111,112それぞれの形状の一例を示す図である。

【図14】図14は、偏光素子配列部11Aにおける素子111,112それぞれの形状の一例を示す図である。

【図15】図15は、偏光素子配列部11Aにおける素子111,112それぞれの形状の一例を示す図である。

【図16】図16は、偏光素子配列部11Aにおける素子111,112それぞれの形状の一例を示す図である。

【図17】図17は、偏光素子配列部11Aにおける素子111,112それぞれの形状の一例を示す図である。

【図18】図18は、第2実施形態の画像取得装置2の構成を示す図である。

【図19】図19は、第3実施形態の画像取得装置3の構成を示す図である。

【図20】図20は、第4実施形態の画像取得装置4の構成を示す図である。

【図21】図21は、第4実施形態における第1検出部21および第2検出部22それぞれの受光面を説明する図である。

【図22】図22は、第5実施形態の画像取得装置5の構成を示す図である。

【図23】図23は、第6実施形態の画像取得装置6の構成を示す図である。

【図24】図24は、第7実施形態の画像取得装置7の構成を示す図である。

【図25】図25は、第8実施形態の画像取得装置8の構成を示す図である。

【図26】図26は、第8実施形態の画像取得装置8の構成例を示す斜視図および断面図である。

【図27】図27は、偏光素子配列部11Kの構成を示す図である。

【図28】図28は、偏光素子配列部11Kの作製方法の一例を説明する図である。

【図29】図29は、偏光素子配列部11Kの作製方法の他の一例を説明する図である。

【図30】図30は、偏光素子配列部11Kの作製方法の他の一例を説明する図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1〜8…画像取得装置、10A〜10J…電磁波照射部、11A〜11K…偏光素子配列部、12A…電磁波放射器、20,20F,20H,20I…電磁波検出部、21…第1検出部、22…第2検出部、23…偏光ビームスプリッタ、24…偏光素子配列部、25…1/4波長板、30…解析部、40…結像光学系、50…駆動部、90…測定対象物。

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