技術分野
本願は、半導体装置のパッケージ構造に関するものである。
要約特許出願時に添付された[要約書]
半導体装置(50)は、リード(23)及びダイパッド(24)を有するリードフレーム(1)と、リード(23)及びダイパッド(24)のそれぞれを接続する電極(25、26)、配線パターン(11)、ダイパッド(1)の表面の一部を露出する開口(22)、を備えたプリント基板(3)と、開口(22)により露出されたダイパッド(24)の表面に接合された金属ブロック(15)の表面に実装され、配線パターン(11)に金属ワイヤ(6)で接続された高周波信号を処理する半導体素子(5)と、配線パターン(11)に接続されると共にプリント基板(3)の表面に実装された電子部品(4)と、リード(23)及びダイパッド(24)における裏面が露出するように、プリント基板(3)、半導体素子(5)、電子部品(4)、金属ワイヤ(6)を封止する封止樹脂(2)と、を備えている。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献1の積層モジュールは、複数の第一半導体チップが搭載された金属ベースと、金属ベースの表面に配置された複数のアルミナ基板を積層した第一多層基板と、複数の第二半導体チップが搭載された第二多層基板と、第一多層基板の表面、第二多層基板、複数の第一半導体チップ、複数の第二半導体チップを封止する金属キャビティ及び金属製のフタを備えている。しかし、特許文献1の積層モジュールは、複数の第一半導体チップが金属ベースに搭載されているため複数の第一半導体チップからの排熱性は維持されており、セラミック材の多層基板によって高周波特性は良いものの、セラミック材の多層基板を用いた大型で複雑な構造であり、かつ材料が高価なため低コスト化を達成することが難しい。
低コストな半導体装置のパッケージとしては、樹脂封止されたパッケージがあり、1W以上の電力を出力する半導体素子であっても樹脂封止された半導体装置が要求されている。特許文献1の積層モジュールは、1W以上の電力を出力する半導体素子を搭載可能であるが、低コストな半導体装置ではなかった。
本願明細書に開示される技術は、1W以上の電力を出力する半導体素子を搭載しても高排熱性を維持しつつ樹脂封止可能な半導体装置を得るものである。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本願明細書に開示される一例の半導体装置は、リード及びダイパッドを有するリードフレームと、リード及びダイパッドのそれぞれを接続する電極、配線パターン、ダイパッドの表面の一部を露出する開口、を備えたプリント基板と、開口により露出されたダイパッドの表面に実装され、又は開口により露出されたダイパッドの表面に接合された金属ブロックにおけるダイパッドの逆側の表面に実装され、配線パターンに金属ワイヤで接続・・・ 続きを
知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本願明細書に開示される一例の半導体装置は、プリント基板に形成された開口により露出されたダイパッドの表面又は金属ブロックの表面に半導体素子が実装され、プリント基板、半導体素子を封止する封止樹脂を備えているので、1W以上の電力を出力する半導体素子を搭載して樹脂封止しても高排熱性を維持できる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 実施の形態1に係る半導体装置を示す図である。
【図2】 図1のプリント基板の裏面を示す図である。
【図3】 図1におけるA−Aの断面の模式図である。
【図4】 図3からエポキシ樹脂を省略した模式図である。
【図5】 実施の形態2に係る半導体装置を示す図である。
【図6】 実施の形態2に係る他の半導体装置を示す図である。
【図7】 実施の形態3に係る半導体装置を示す図である。
【図8】 実施の形態4に係る半導体装置の断面の模式図である。
【図9】 図8からエポキシ樹脂を省略した模式図である。
【図10】 実施の形態5に係る半導体装置の断面の模式図である。
【図11】 図10からエポキシ樹脂を省略した模式図である。
【図12】 実施の形態6に係る半導体装置の断面の模式図である。
【図13】 図12からエポキシ樹脂を省略した模式図である。
1…リードフレーム、2…エポキシ樹脂(封止樹脂)、3…プリント基板、4…電子部品、5…半導体チップ、6…金属ワイヤ、11…配線パターン、12…貫通穴、13…凹部、15…金属ブロック、17…蓋、18…中空部、22…開口、23…リード、24…ダイパッド、25…電極、26…電極、27…樹脂基材、28…セラミック基材、31a…第一基板(基本基板)、31b…第二基板(基本基板)、32a…第一開口、32b…第二開口、50…半導体装置
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録