特許6444465IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置、表示装置、発光装置、それらの駆動方法、または、それらの作製
方法に関する。また、本発明は、駆動回路、駆動回路を備える信号処理装置、信号処理装
置の作製方法、および表示装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年、タブレット型コンピュータやスマートフォンなどの普及により、画素部の高精細化
は飛躍的な進歩を遂げており、これに伴い、信号処理装置の消費電力も増加の一途をたど
っている。しかしながら、タブレット型コンピュータやスマートフォンは、1回の充電で
どれだけ長い間動作できるか(動作時間や駆動時間などとも呼ばれる)が、性能を比較す
る重要な要素の一つとして認識されている。このため信号処理装置が備える駆動回路には
、更なる低消費電力化が求められている。 一方、湾曲面に設置できる表示装置、曲げや捻りなどの力により自在に変形できる表示装
置、などを求める要望が非常に高まっており、故に、可撓性を有する表示装置の開発が盛
んに行われている。しかしながら、上述したような単結晶シリコン基板などを用いた信号
処理装置は可撓性が乏しいため、表示装置に対して曲げや捻りなどの力が加わった場合、
実装された信号処理装置が剥がれてしまう、衝撃により破壊する、といった問題が生じる
恐れがある。 問題に鑑み、本発明は、低消費電力性を備えた駆動回路を提供することを課題の一つ
とする。 また上述の駆動回路を備え、消費電力が低くかつ力が付加された際に破壊や剥がれが生じ
にくい信号処理装置を提供することを課題の一つとする。 また、上述信号処理装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。 また、上述信号処理装置を備える表示装置を提供することを課題の一つとする。 なお、本発明の全ての態様が、これらの課題の全てを解決する必要はない。また、明細書
、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

通常、信号処理装置に備えられた駆動回路は、シフトレジスタ回路、ラッチ回路および切 り替え回路を備えている。そして、駆動回路の動作は一般的に以下のように行われる。す なわち、(1)駆動回路に接続された複数の出力線のうち、いずれの出力線に対してデー タを出力するか否かを決定する信号(パルス信号)がシフトレジスタ回路から出力され、 (2)映像信号(ビデオ信号、ビデオデータなどとも言われる)が入力されて・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明の一実施形態では、駆動回路を形成する回路層を、単結晶半導体膜を活性層として
用いたトランジスタを含む第1の層と、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジス
タを含む第2の層の少なくとも2層以上の積層構造とし、回路層はシフトレジスタ回路、
ラッチ回路および切り替え回路を含み、ラッチ回路が酸化物半導体膜を活性層として用い
たトランジスタを構成要素の一部として含む構造とする。 これにより、駆動回路に入力される映像信号をラッチ回路に保持できるため、特にラッチ
回路に同じ信号が入力され続ける場合(例えば、静止画表示など)において、ラッチ回路
での消費電力を低減でき、信号処理装置の低消費電力化を実現できる。 なお、回路層に備えられたラッチ回路以外の構成要素に、単結晶半導体膜を活性層として
用いたトランジスタを用いることで、高速駆動性も確保できる。 そして、可撓性基板を用いて信号処理装置を形成することにより、湾曲面を有する部分に
信号処理装置を設置した場合や、曲げや捻りなどの力が信号処理装置に付加した場合にお
いても、破壊や剥がれが生じにくくすることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】回路層に備えられる駆動回路の構成を説明する図。

【図2】信号処理装置の作製方法を説明する図。

【図3】信号処理装置の作製方法を説明する図。

【図4】信号処理装置の作製方法を説明する図。

【図5】信号処理装置の作製方法を説明する図。

【図6】信号処理装置の作製方法を説明する図。

【図7】信号処理装置の作製方法を説明する図。

【図8】信号処理装置の作製方法を説明する図。

【図9】表示装置の構造を説明する図。

【図10】表示装置の作製方法を説明する図。

【図11】表示装置の作製方法を説明する図。

【図12】表示装置の作製方法を説明する図。

【図13】表示装置の作製方法を説明する図。

【図14】表示装置の作製方法を説明する図。

【図15】表示装置の作製方法を説明する図。

【図16】信号処理装置を備える半導体装置を説明する図。

【図17】ラッチ回路の構成および動作概念を説明する図。

【図18】酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。

【図19】酸化物半導体を用いたトランジスタの特性評価用回路図。

【図20】酸化物半導体を用いたトランジスタの特性評価用タイミングチャート。

【図21】酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。

【図22】酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。

【図23】酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。

【図24】信号処理装置の作製方法を説明する図。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

100 信号処理装置   101 フリップフロップ   102 シフトレジスタ回路   103 第1のラッチ回路   104 第1のラッチ回路群   105 第2のラッチ回路   106 第2のラッチ回路群   107 アナログスイッチ   108 トランジスタ   109 配線   110 回路層   111 第1の層   112 第2の層   113 切り替え回路   115 ベース基板   300 半導体基板   302 絶縁膜   304 イオン照射処理   306 脆化領域   307 第1の剥離層   308 第2の剥離層   309 酸化物膜   310 剥離層   314 第1の仮固定基板   316 半導体薄膜   400a 半導体膜   400b 半導体膜   401 絶縁膜   402a ゲート絶縁膜   402b ゲート絶縁膜   404a ゲート電極   404b ゲート電極   410a n型不純物領域   410b n型不純物領域   410c チャネル形成領域   416a p型不純物領域   416b p型不純物領域   416c チャネル形成領域   438 nチャネル型トランジスタ   440 pチャネル型トランジスタ   450 層間絶縁層   455 配線層   462 層間絶縁層   464 配線層   466 層間絶縁層   468 層間絶縁層   600 仮固定材料   602 第2の仮固定基板   604 接合材料   700 絶縁膜   702 酸化物半導体膜   702a 低抵抗領域   702b チャネル形成領域   704 導電膜   706 ゲート絶縁膜   708 ゲート電極   711 導電膜   712 容量素子   720 トランジスタ   730 トランジスタ   740 層間絶縁層   740a 層間絶縁膜   740b 層間絶縁膜   750 表示装置   760 基板   760a 基板   760b 基板   762 画素部   764 引き出し端子   766 接続端子   768 封止材料   769 表示素子層   770 対向基板   771 導電材料   771a 導電材料   771b 導電材料   772 フレキシブルプリント配線   1000 ラッチ回路   1000a ラッチ回路   1000b ラッチ回路   1002 トランジスタ   1002a トランジスタ   1002b トランジスタ   1003 ノード   1003a ノード   1003b ノード   1008a 容量素子   1008b 容量素子   1010 凹部   1050 表示装置   1210 保護基板   1250 表示装置   1350 表示装置   1601 ディスプレイ   1602 支持台   1603 表示部   1611 ディスプレイ   1612 表示部   1621 コンピュータ   1622 表示部   1623 キーボード   1624 タッチパッド   1625 外部接続ポート   1626 電源プラグ   1631 表示装置   1632 表示部   1633 キーボード   1634 スピーカー   1641 電子ブック   1642 表示部   1643 操作キー   1651 ICカード   1652 表示部   1653 接続端子   2300 測定系   2302 容量素子   2304 トランジスタ   2305 トランジスタ   2306 トランジスタ   2308 トランジスタ

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