技術分野
半導体装置、表示装置、発光装置、それらの駆動方法、または、それらの作製
方法に関する。また、本発明は、駆動回路、駆動回路を備える信号処理装置、信号処理装
置の作製方法、および表示装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
近年、タブレット型コンピュータやスマートフォンなどの普及により、画素部の高精細化
は飛躍的な進歩を遂げており、これに伴い、信号処理装置の消費電力も増加の一途をたど
っている。しかしながら、タブレット型コンピュータやスマートフォンは、1回の充電で
どれだけ長い間動作できるか(動作時間や駆動時間などとも呼ばれる)が、性能を比較す
る重要な要素の一つとして認識されている。このため信号処理装置が備える駆動回路には
、更なる低消費電力化が求められている。
一方、湾曲面に設置できる表示装置、曲げや捻りなどの力により自在に変形できる表示装
置、などを求める要望が非常に高まっており、故に、可撓性を有する表示装置の開発が盛
んに行われている。しかしながら、上述したような単結晶シリコン基板などを用いた信号
処理装置は可撓性が乏しいため、表示装置に対して曲げや捻りなどの力が加わった場合、
実装された信号処理装置が剥がれてしまう、衝撃により破壊する、といった問題が生じる
恐れがある。
問題に鑑み、本発明は、低消費電力性を備えた駆動回路を提供することを課題の一つ
とする。
また上述の駆動回路を備え、消費電力が低くかつ力が付加された際に破壊や剥がれが生じ
にくい信号処理装置を提供することを課題の一つとする。
また、上述信号処理装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
また、上述信号処理装置を備える表示装置を提供することを課題の一つとする。
なお、本発明の全ての態様が、これらの課題の全てを解決する必要はない。また、明細書
、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
通常、信号処理装置に備えられた駆動回路は、シフトレジスタ回路、ラッチ回路および切
り替え回路を備えている。そして、駆動回路の動作は一般的に以下のように行われる。す
なわち、(1)駆動回路に接続された複数の出力線のうち、いずれの出力線に対してデー
タを出力するか否かを決定する信号(パルス信号)がシフトレジスタ回路から出力され、
(2)映像信号(ビデオ信号、ビデオデータなどとも言われる)が入力されて・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明の一実施形態では、駆動回路を形成する回路層を、単結晶半導体膜を活性層として
用いたトランジスタを含む第1の層と、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジス
タを含む第2の層の少なくとも2層以上の積層構造とし、回路層はシフトレジスタ回路、
ラッチ回路および切り替え回路を含み、ラッチ回路が酸化物半導体膜を活性層として用い
たトランジスタを構成要素の一部として含む構造とする。
これにより、駆動回路に入力される映像信号をラッチ回路に保持できるため、特にラッチ
回路に同じ信号が入力され続ける場合(例えば、静止画表示など)において、ラッチ回路
での消費電力を低減でき、信号処理装置の低消費電力化を実現できる。
なお、回路層に備えられたラッチ回路以外の構成要素に、単結晶半導体膜を活性層として
用いたトランジスタを用いることで、高速駆動性も確保できる。
そして、可撓性基板を用いて信号処理装置を形成することにより、湾曲面を有する部分に
信号処理装置を設置した場合や、曲げや捻りなどの力が信号処理装置に付加した場合にお
いても、破壊や剥がれが生じにくくすることができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 回路層に備えられる駆動回路の構成を説明する図。
【図2】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
【図3】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
【図4】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
【図5】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
【図6】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
【図7】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
【図8】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
【図9】 表示装置の構造を説明する図。
【図10】 表示装置の作製方法を説明する図。
【図11】 表示装置の作製方法を説明する図。
【図12】 表示装置の作製方法を説明する図。
【図13】 表示装置の作製方法を説明する図。
【図14】 表示装置の作製方法を説明する図。
【図15】 表示装置の作製方法を説明する図。
【図16】 信号処理装置を備える半導体装置を説明する図。
【図17】 ラッチ回路の構成および動作概念を説明する図。
【図18】 酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。
【図19】 酸化物半導体を用いたトランジスタの特性評価用回路図。
【図20】 酸化物半導体を用いたトランジスタの特性評価用タイミングチャート。
【図21】 酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。
【図22】 酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。
【図23】 酸化物半導体を用いたトランジスタの特性を示す図。
【図24】 信号処理装置の作製方法を説明する図。
100 信号処理装置
101 フリップフロップ
102 シフトレジスタ回路
103 第1のラッチ回路
104 第1のラッチ回路群
105 第2のラッチ回路
106 第2のラッチ回路群
107 アナログスイッチ
108 トランジスタ
109 配線
110 回路層
111 第1の層
112 第2の層
113 切り替え回路
115 ベース基板
300 半導体基板
302 絶縁膜
304 イオン照射処理
306 脆化領域
307 第1の剥離層
308 第2の剥離層
309 酸化物膜
310 剥離層
314 第1の仮固定基板
316 半導体薄膜
400a 半導体膜
400b 半導体膜
401 絶縁膜
402a ゲート絶縁膜
402b ゲート絶縁膜
404a ゲート電極
404b ゲート電極
410a n型不純物領域
410b n型不純物領域
410c チャネル形成領域
416a p型不純物領域
416b p型不純物領域
416c チャネル形成領域
438 nチャネル型トランジスタ
440 pチャネル型トランジスタ
450 層間絶縁層
455 配線層
462 層間絶縁層
464 配線層
466 層間絶縁層
468 層間絶縁層
600 仮固定材料
602 第2の仮固定基板
604 接合材料
700 絶縁膜
702 酸化物半導体膜
702a 低抵抗領域
702b チャネル形成領域
704 導電膜
706 ゲート絶縁膜
708 ゲート電極
711 導電膜
712 容量素子
720 トランジスタ
730 トランジスタ
740 層間絶縁層
740a 層間絶縁膜
740b 層間絶縁膜
750 表示装置
760 基板
760a 基板
760b 基板
762 画素部
764 引き出し端子
766 接続端子
768 封止材料
769 表示素子層
770 対向基板
771 導電材料
771a 導電材料
771b 導電材料
772 フレキシブルプリント配線
1000 ラッチ回路
1000a ラッチ回路
1000b ラッチ回路
1002 トランジスタ
1002a トランジスタ
1002b トランジスタ
1003 ノード
1003a ノード
1003b ノード
1008a 容量素子
1008b 容量素子
1010 凹部
1050 表示装置
1210 保護基板
1250 表示装置
1350 表示装置
1601 ディスプレイ
1602 支持台
1603 表示部
1611 ディスプレイ
1612 表示部
1621 コンピュータ
1622 表示部
1623 キーボード
1624 タッチパッド
1625 外部接続ポート
1626 電源プラグ
1631 表示装置
1632 表示部
1633 キーボード
1634 スピーカー
1641 電子ブック
1642 表示部
1643 操作キー
1651 ICカード
1652 表示部
1653 接続端子
2300 測定系
2302 容量素子
2304 トランジスタ
2305 トランジスタ
2306 トランジスタ
2308 トランジスタ
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