ホーム > 特許ランキング > 株式会社半導体エネルギー研究所 > 特許6444471
特許 6444471出願番号 特願 2017-192771
半導体装置
出願人 株式会社半導体エネルギー研究所（識別番号 153878）
2026年 特許公開件数ランキング 10位 942件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 18位 718件（※）
公報発行日 2018年12月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6444471 ログイン済みの方はこのURLへ
［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
技術分野
全般を指し、トランジスタ、半導体回路、記憶装置、撮像装置、表示装置、電気光学装置
および電子機器などは、全て半導体装置と言える。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、フォトリソグラフィ工程を削減または簡略化すると、本来必要のない場所にチャネルが形成され、意図しない部分がトランジスタとして機能してしまう場合がある
。 例えば、画素電極と絶縁層を介して重畳する半導体層が存在すると、画素電極に供給され
る電位によっては、画素電極と重畳する半導体層にチャネルが形成されてしまう場合があ
る。なお、このように本来必要のない場所に形成されるチャネルを寄生チャネルという。 また、例えば、第１の画素と、第１の画素に隣接する第２の画素で共通の配線Ａ（例えば
、ゲート配線）を使用している場合に、配線Ａと絶縁層を介して重畳する半導体層に寄生
チャネルが形成されると、半導体層に接して形成されている、第１の画素が有する配線Ｂ
（例えば、第１の画素が有する画像信号配線）と第２の画素が有する配線Ｃ（例えば、第
２の画素が有する画像信号配線）が、寄生チャネルにより電気的に接続されてしまう場合
がある。すなわち、配線Ａがゲート電極として機能し、配線Ｂがソース電極またはドレイ
ン電極の一方として機能し、配線Ｃがソース電極またはドレイン電極の他方として機能す
るトランジスタが形成されてしまう場合がある。このように、意図せず形成されるトラン
ジスタを寄生トランジスタという。 また、隣接する配線間の距離が短い場合は、ゲート電極として機能する層が無くても、隣
接する配線間に生じる電界により半導体層中に寄生チャネルが形成され、隣接する配線同
士が電気的に接続されてしまう場合がある。 寄生チャネルまたは寄生トランジスタが形成されると、配線間の信号が干渉し、正確な信
号の伝達が困難となるため、表示品位の低下や、信頼性低下の一因となる。 また、半導体装置は複雑な構造の複数の薄膜で構成されており、多種の材料、方法及び工
程で作製される。よって、用いられる作製工程によっては、得られる半導体装置の形状不
良や電気特性の低下が生じる恐れがある。 このような問題に鑑み、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。 本発明の一態様は、半導体装置の作製に用いるフォトリソグラフィ工程を従来よりも少な
くすることを課題の一とする。 本発明の一態様は、半導体装置の作製に用いるフォトマスクの枚数を従来よりも少なくす
ることを課題の一とする。 本発明の一態様は、生産性の良い半導体装置を提供することを課題の一とする。 本発明の一態様は、消費電力が低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
りも少なくすることができる。よって、トランジスタを有する表示装置の作製に用いるフ
ォトマスクの枚数を従来よりも少なくすることができ、低コストで生産性の良い半導体装
置を提供することができる。 本発明の一態様によれば、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いることで
、消費電力が少なく、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の一態様を説明する図。
【図2】本発明の一態様を説明する図。
【図3】本発明の一態様を説明する図。
【図4】本発明の一態様を説明する図。
【図5】本発明の一態様を説明する図。
【図6】本発明の一態様を説明する回路図。
【図7】本発明の一態様を説明する図。
【図8】本発明の一態様を説明する図。
【図9】作製方法を説明する図。
【図10】作製方法を説明する図。
【図11】作製方法を説明する図。
【図12】作製方法を説明する図。
【図13】多階調マスクを説明する図。
【図14】本発明の一態様を説明する図。
【図15】本発明の一態様を説明する図。
【図16】本発明の一態様を説明する図。
【図17】本発明の一態様を説明する図。
【図18】本発明の一態様を説明する図。
【図19】本発明の一態様を説明する図。
【図20】本発明の一態様を説明する回路図。
【図21】作製方法を説明する図。
【図22】作製方法を説明する図。
【図23】作製方法を説明する図。
【図24】本発明の一態様を説明する図。
【図25】本発明の一態様を説明する図。
【図26】本発明の一態様を説明する図。
【図27】本発明の一態様を説明する図。
【図28】電子機器を示す図。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
［広告欄］
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります