特許6445990IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明が解決しようとする課題は、寄生トランジスタの動作を抑制できる半導体装置を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体装置は、第2導電形の第5半導体領域と、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第1導電形の第6半導体領域と、第1導電形の第3半導体領域と、第2導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、を有する。 前記第1半導体領域は、前記第5半導体領域の上に設けられている。 前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域の上に設けられている。前記第2半・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】半導体装置の一部を表す斜視断面図である。

【図2】半導体装置の製造工程を表す工程斜視断面図である。

【図3】半導体装置の製造工程を表す工程斜視断面図である。

【図4】実施形態の第1変形例に係る半導体装置の一部を表す斜視断面図である。

【図5】実施形態の第2変形例に係る半導体装置の一部を表す平面図である。

【図6】(a)図5のA−A’断面を含む斜視断面図である。(b)図5のB−B’断面を含む斜視断面図である。

【図7】実施形態の第3変形例に係る半導体装置の一部を表す斜視断面図である。

【図8】実施形態の第4変形例に係る半導体装置の一部を表す平面図である。

【図9】図8のA−A’断面を含む斜視断面図である。

【図10】実施形態の第5変形例に係る半導体装置の一部を表す斜視断面図である。

【図11】実施形態の第6変形例に係る半導体装置の一部を表す斜視断面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

100〜160…半導体装置、 1…n−形半導体領域、 2…p形ベース領域、 3…n+形ソース領域、 4…p+形コンタクト領域、 5…p+形コレクタ領域、 6…n形バリア領域、 7…n+形ドレイン領域、 10…ゲート電極、 31、32…電極

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