特許6489653IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

電流検出装置及びそれを用いた半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、前記の特許文献1に開示された技術には、次のような課題がある。
特許文献1に開示された技術の半導体スイッチング装置では、浮遊成分21による通電時の電圧降下を測定しているが、この電圧降下から電流を検出する場合には、浮遊成分21にインダクタンス成分と抵抗成分とが含まれていることに起因する誤差を排除できずに精度が低下するという課題がある。 本発明は、前記した課題に鑑みて創案されたものであり、配線に寄生する抵抗成分による誤差を排除して、精度よく、スイッチング素子に流れる電流を検出できる電流検出装置、およびそれを用いた半導体装置を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

前記の課題を解決して、本発明の目的を達成するために、以下のように構成した。 すなわち、本発明の電流検出装置は、入力された電圧を積分する積分器と、高周波成分を通過させるハイパスフィルターと、を備え、前記ハイパスフィルターが、スイッチング素子の配線に発生する電圧の所定の周波数成分を選択し、前記積分器が、選択された所定の周波数成分の電圧を積分して、スイッチング素子の配線に流れる電流を検出する。・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、配線に寄生する抵抗成分による誤差を排除して、精度よく、スイッチング素子に流れる電流を検出できる電流検出装置、およびそれを用いた半導体装置を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の第1電流検出装置の構成例を模式的に示す図である。

【図2】本発明の第1電流検出装置の機能、動作の一例を説明する図である。

【図3】MOSFETなどのスイッチング素子に流れる電流を、配線に寄生する配線部分のインピーダンスに、スイッチング素子のスイッチング時に発生する電圧を用いて、検出する評価回路の一例を示す図である。

【図4】スイッチング素子の配線に寄生するインダクタンスと抵抗とに発生する電圧と、スイッチング素子に流れる電流の一例を模式的に示した図である。

【図5】本発明の第2電流検出装置の構成例を模式的に示す図である。

【図6】本発明の第3電流検出装置の構成例を模式的に示す図である。

【図7】本発明の第4電流検出装置の構成例を模式的に示す図である。

【図8】本発明の第4電流検出装置のMOSFETを制御するゲート制御信号の一例を示す図である。

【図9】本発明の第5電流検出装置の構成例を模式的に示す図である。

【図10】スイッチング素子の配線に寄生するインダクタンスと抵抗とに発生する電圧と、スイッチング素子に流れる電流の一例を模式的に示した図である。

【図11】本発明の第6電流検出装置の構成例を模式的に示す図である。

【図12】本発明の第7電流検出装置の構成例を模式的に示す図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

11 電圧判定器   12、22 積分器   13 切替器   21 オペアンプ   30 インダクター   31、32 スイッチング素子、MOSFET   33、63、73 コンデンサ   34、35、64、74 抵抗   36、43 切替器,MOSFET   37 電圧判定付切替器   38 入力端子   39 出力端子   3G 負極端子   3P 正極端子   51 周波数判定器   61 ハイパスフィルター   71 ローパスフィルター   100、200、300、400、500、600、700 電流検出装置   311、321 ダイオード   312、322、332 インダクタンス(寄生インダクタンス)   313、323 抵抗(寄生抵抗)

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

[広告欄]

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります