特許6580829IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

プラズマCVD成膜装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

の特許文献1記載の成膜装置では、成膜ローラの両端部における皮膜形成を防止するために、一対の成膜ローラの間において、各成膜ローラの両端部を覆う遮蔽部材が設けられている。 この構成では、成膜ローラの軸方向について、成膜が行われる範囲の成膜ローラの金属製の外周面のうち基材が巻き掛けられている部分は、当該成膜ローラの表面が基材に覆われている。しかし、それ以外の部分、すなわち、基材が巻き掛けられていない部分では、基材に接触していないので外部に露出している。このように、金属製の成膜ローラのうち外部に露出している部分では、当該露出している部分とその周囲の部分(例えば、真空チャンバの内壁など)との間の電位差により、異常放電が発生するおそれがある。そのため、成膜作業を継続することができないおそれがある。 本発明は、のような事情に鑑みてなされたものであり、成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマCVD成膜装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のプラズマCVD成膜装置は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内部に回転自在に取り付けられた成膜ローラであって、帯状の基材が当該成膜ローラの全周のうちの一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラと、前記成膜ローラの内部に配置され、前記成膜ローラにおける前記基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部と、前記成膜ローラに接続され、前記磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のプラズマCVD成膜装置によれば、成膜ローラのうち基材が巻き掛けられている部分に対して当該成膜ローラの回転軸を挟んで反対側に位置する部分、すなわち基材が巻き掛けられていない部分での異常放電の発生を防止することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明のプラズマCVD成膜装置の全体構成を示す真空チャンバの前面を取り除いた状態の正面図である。

【図2】図1の成膜ローラに対するカバーの配置を示す拡大正面図である。

【図3】図1のプラズマCVD成膜装置の一対の成膜ローラ周辺の拡大平面図である。

【図4】図1の成膜ローラに対するカバーの配置を示す拡大斜視図である。

【図5】本発明の変形例に係る成膜ローラの全長にわたって延びるカバーを備えたプラズマCVD成膜装置の構造を示す一対の成膜ローラ周辺の拡大平面図である。

【図6】本発明の他の変形例に係る成膜ローラにおける軸方向についての成膜が行われる範囲を覆うローラ絶縁部を備えたプラズマCVD成膜装置の構造を示す一対の成膜ローラ周辺の拡大平面図である。

【図7】図1の成膜ローラに対するローラ絶縁部およびカバーの配置を示す拡大正面図である。

【図8】図6の成膜ローラの端部から端部キャップを取り外した状態の分解平面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 真空チャンバ   2 成膜ローラ   3 マグネット(磁力発生手段)   4 高周波電源   9 カバー   10 成膜装置   19 絶縁部

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

[広告欄]

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります