特許 6597102出願番号 特願 2015-182760
半導体装置
公報発行日 2019年10月30
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
半導体装置においては、逆回復時の耐量をより向上させることが好ましい。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一つの態様においては、半導体装置は、第１導電型の半導体基板を備える。半導体基板の表面には、第２導電型の第１領域が形成されてよい。半導体基板の表面には、第１領域と隣接して形成され、第１領域よりも高濃度の第２伝導型の第２領域が形成されてよい。半導体基板の表面には、第２領域と隣接して形成され、第２領域よりも高濃度の第２伝導型の第３領域が形成されてよい。半導体装置は、第２領域の一部および第３・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】半導体装置１００の表面構造の一例を示す図である。
【図2】図１におけるＡ−Ａ'断面の一例を示す図である。
【図3】比較例としての半導体装置２００の構造を示す図である。
【図4】第２領域２４および第３領域２６を拡大して示す図である。
【図5】半導体装置１００の活性領域１４における断面の他の例を示す図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１０・・・半導体基板、１２・・・耐圧構造領域、１４・・・活性領域、１６・・・裏面電極、１８・・・裏面領域、２０・・・ドリフト領域、２２・・・第１領域、２４・・・第２領域、２６・・・第３領域、２８・・・絶縁膜、３０・・・表面電極、３２・・・ガードリング、３４・・・フィールドプレート、３６・・・端部、３７・・・端部、４０・・・エミッタ領域、４２・・・コンタクト領域、４４・・・層間絶縁膜、４６・・・トレンチ絶縁膜、４８・・・トレンチ電極、５０・・・ゲートトレンチ部、５２・・・コレクタ領域、５４・・・ＩＧＢＴ領域、５６・・・ＦＷＤ領域、１００・・・半導体装置、２００・・・半導体装置、２２２・・・アノード領域
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