【図1】図１は、システムインパッケージを製造するための簡略化したスタックの例であり、半導体ダイの配置後及びスタックアップのシンター及びプレス前のスタックが示されている。

【図2】図２は、図１のスタックの例であり、充填材料が後続の基板間に挿入される。

【図3】図３は、図１及び図２から既知のスタックアップを硬化させることにより製造される、簡略化したシステムインパッケージの例である。

【図4】図４は、図３の簡略化したシステムインパッケージの例であり、システムインパッケージの上側、中間、及び下側相互接続表面間の接続を提供するように、ビアが挿入されている。

【図5】図５は、下側基板を有さない、更なる簡略化したシステムインパッケージの例である。

【図6】図６は、上側及び下側表面に近接した基板を有さない、別の簡略化したシステムインパッケージの例である。

【図7】図７は、隣り合って置かれる２つのパワーＦＥＴと、これらのＦＥＴの頂部上にスタックされるコントローラとを含む、更なる簡略化したシステムインパッケージの例である。

【図8】図８は、隣り合って配置される２つのパワーＦＥＴと、上側表面上に置かれる受動構成要素とを含む、別の簡略化したシステムインパッケージの例である。

【図9】図９は、隣り合って配置される２つのパワーＦＥＴと、受動構成要素とを含む、簡略化したシステムインパッケージの例であり、ダイオンダイ構成でダイが直接的にスタックされる。

【図10】図１０は、半導体ダイと高電流接続を提供する金属ブロックとを含む、更に簡略化したシステムインパッケージの例である。

【図11】図１１は、半導体ダイと高電流接続を提供する金属ブロックとを含む、更に簡略化したシステムインパッケージの例である。