発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明が解決しようとする課題は、接合強度が高く、かつ、空隙率の小さい接合層を低コストで形成することが可能な導電性ペースト、及びこれを用いて形成された接合層を備えた半導体装置を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

Ｃｕ系粒子の表面は、通常、Ｃｕ₂Ｏからなる自然酸化膜で覆われている。Ｃｕ₂Ｏは還元されにくいため、このような自然酸化膜を備えたＣｕ系粒子のみを還元雰囲気下で焼成しても、自然酸化膜を除去することはできない。
一方、Ｎｉ系粒子の表面は、通常、ＮｉＯからなる自然酸化膜で覆われている。ＮｉＯは、Ｃｕ₂Ｏを固溶し、かつ、Ｃｕ⁺をＣｕ²⁺に酸化させる作用がある。Ｃｕ²⁺は、Ｃｕ⁺に比べて還元されやすいため、還元性雰囲気下での焼成によって、Ｃｕに容易に還元される。 本発明に係る導電性ペーストは、Ｃｕ系粒子とＮｉ系粒子の双方を含むので、還元雰囲気下での焼成によって自然酸化膜の除去及び粒子間の焼結が適度に進行し、高強度の接合層が得られる。また、Ｃｕ系粒子又はＮｉ系粒子のいずれか一方をナノ粒子とし、他方を粗大粒子としているので、空隙率の小さい接合層を得ることができる。さらに、金属粒子の一部に低コストの粗大粒子を用いるため、導電性ペースト及びこれを用いて形成される接合層を低コスト化することができる。