特許 6617657出願番号 特願 2016-150849
炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法
公報発行日 2019年12月11
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6617657 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、従来の炭化ケイ素半導体装置においては、トレンチ１１の底部の第１ｐ+型ベース領域１６におけるドレイン電圧に対する耐圧と、ｐ++型不純物層９の下の第２ｐ+型ベース領域１７におけるドレイン電圧に対する耐圧と、がほぼ同じである。このため、トレンチ１１の底部の第１ｐ+型ベース領域１６の耐圧が、ｐ++型不純物層９の下の第２ｐ+型ベース領域１７の耐圧を下回る場合があり、この場合は素子全体の耐圧がトレンチ１１の底部の耐圧で律速されることになる。 したがって、トレンチ１１の底部でアバランシェ・ブレークダウンが起こり、それによってトレンチ１１の底部のゲート絶縁膜１２へキャリアが注入され、注入されたキャリアがゲート絶縁膜１２の内部のキャリアトラップに補獲されてゲート絶縁膜１２の内部の局所電界を変調させる。また、この局所電界の変化によって局所電界が強くなり、さらなるキャリア注入が発生する悪循環になり、ゲート絶縁膜１２が破壊される場合もある。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、トレンチの底部におけるアバランシェ・ブレークダウンの発生を抑制することができる炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、実施の形態にかかる炭化ケイ素半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図2】図２は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１）である。
【図3】図３は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その２）である。
【図4】図４は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その３）である。
【図5】図５は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その４）である。
【図6】図６は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その５）である。
【図7】図７は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その６）である。
【図8】図８は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その７）である。
【図9】図９は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その８）である。
【図10】図１０は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その９）である。
【図11】図１１は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１０）である。
【図12】図１２は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１１）である。
【図13】図１３は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１２）である。
【図14】図１４は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１３）である。
【図15】図１５は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１４）である。
【図16】図１６は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１５）である。
【図17】図１７は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１６）である。
【図18】図１８は、実施の形態にかかる製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１７）である。
【図19】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１）である。
【図20】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その２）である。
【図21】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その３）である。
【図22】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その４）である。
【図23】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その５）である。
【図24】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その６）である。
【図25】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その７）である。
【図26】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その８）である。
【図27】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その９）である。
【図28】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１０）である。
【図29】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１１）である。
【図30】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１２）である。
【図31】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１３）である。
【図32】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１４）である。
【図33】従来の製造方法による炭化ケイ素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図（その１５）である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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