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公報発行日 2019年12月25
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【図1】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを示す断面図である。
【図2A】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。
【図2B】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。
【図2C】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。
【図2D】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。
【図2E】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。
【図2F】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。
【図3】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを示す断面図である。
【図4A】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。
【図4B】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。
【図4C】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。
【図4D】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。
【図4E】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。
【図5A】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。
【図5B】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの上面図である。
【図6】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。
【図7】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。
【図8】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。
【図9】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。
【図10】本技術の実施形態により構成される半導体ダイアセンブリを含むシステムの概略図である。
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