特許6625599IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

開示された半導体ダイアセンブリに関する。より詳細には、本技術は、高効率熱経路を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連するシステムと方法

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを示す断面図である。

【図2A】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。

【図2B】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。

【図2C】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。

【図2D】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。

【図2E】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。

【図2F】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。

【図3】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを示す断面図である。

【図4A】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。

【図4B】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。

【図4C】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。

【図4D】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す断面図である。

【図4E】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリを製造する方法を示す上面図である。

【図5A】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。

【図5B】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの上面図である。

【図6】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。

【図7】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。

【図8】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。

【図9】本技術の実施形態による半導体ダイアセンブリの断面図である。

【図10】本技術の実施形態により構成される半導体ダイアセンブリを含むシステムの概略図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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