特許 6626418出願番号 特願 2016-177636
半導体装置
公報発行日 2019年12月25
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明が解決しようとする課題は、電流コラプスを抑制でき、損失を低減できる半導体装置を提供することである。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
半導体装置は、電界効果トランジスタと、第１電荷蓄積素子と、を有する。前記電界効果トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、第１電極と、を有する。前記ソース電極および前記ドレイン電極は、半導体層に接続されている。前記ゲート電極は、前記半導体層の表面上に設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置している。前記第１電極は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】半導体装置の電界効果トランジスタを表す断面図である。
【図2】半導体装置の回路ブロック図である。
【図3】実施形態の第１変形例に係る半導体装置の回路ブロック図である。
【図4】実施形態の第２変形例に係る半導体装置の回路ブロック図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１〜３ 半導体装置、 １０ 電界効果トランジスタ、 ２０ コンデンサ、 ２１ バリアブルコンデンサ、 ３０ コンデンサ、 １０２ 基板、 １０４ バッファ層、 １０６ チャネル層、 １０８ バリア層、 １１０ ソース電極、 １１２ ドレイン電極、 １１４ ゲート電極、 １１６ 電極、 １１８ ゲート絶縁層、 １２０ 絶縁層
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