特許 6626537出願番号 特願 2018-134498
半導体装置および光結合装置
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,114件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,011件（※）
出願人 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（識別番号 317011920）
2026年 特許公開件数ランキング 25698位 224件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 7537位 138件（※）
公報発行日 2019年12月25
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置および光結合装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本第１半導体素子上に設けられた第２半導体素子が剥離しないようにした半導体装置および光結合装置を提供するものである。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本実施形態によれば、第１半導体素子と、
前記第１半導体素子上に設けられた第２半導体素子と、
前記第２半導体素子の表面を覆うゲル状のシリコーンと、
前記シリコーンの表面と前記第１半導体素子の表面とを覆う樹脂部と、を備える半導体装置が提供される。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1A】本実施形態による光結合装置の斜視図。
【図1B】図１ＡのＡ−Ａ線の断面図。
【図2】第１樹脂部の表面を第２樹脂部で覆う場合の応力の方向を矢印で示す要部拡大断面図。
【図3A】受光チップの外形形状が長方形の場合の第１樹脂部の配置を表す模式図。
【図3B】受光チップの外形形状が正方形の場合の第１樹脂部の配置を表す模式図。
【図4】発光チップと受光チップの周辺の模式的な断面図。
【図5】ゴム状シリコーンと樹脂部との界面付近を模式的に示す拡大断面図。
１ 光結合装置、２ 基板、３ 第１パッド、４ 第２パッド、５ 第３パッド、６ 受光チップ、７ 発光チップ、８ 第１ＭＯＳＦＥＴ、９ 第２ＭＯＳＦＥＴ、１０ 第１樹脂部、１１ 第２樹脂部
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