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特許 6783290出願番号 特願 2018-231727
有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法
出願人 マイクロン テクノロジー， インク．（識別番号 595168543）
2026年 特許公開件数ランキング 557位 35件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 2241位 5件（※）
公報発行日 2020年11月11
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6783290 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
本出願は、２０１４年５月２０日に出願された、米国特許出願整理番号１４／２８２，５２０の“Ｐｏｌａｒ，Ｃｈｉｒａｌ，ａｎｄ Ｎｏｎ−Ｃｅｎｔｒｏ−Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｍｅｍｏｒｙ Ｃｅｌｌｓ Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ Ｓｕｃｈ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ”の出願日の利益を享受する権利を主張する。 本開示の半導体デバイス設計および製造の分野に関する。より詳細には、本開示の強誘電体材料を含む強誘電体メモリセルを形成する方法と、メモリデバイスなどの関連する半導体デバイス構造
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本開示の一実施形態による、１Ｔ−ＦｅＲＡＭメモリセルの断面図である。
【図2】本開示の別の実施形態による、１Ｔ−ＦｅＲＡＭメモリセルの断面図である。
【図3】本開示のさらに別の実施形態による、１Ｔ−ＦｅＲＡＭメモリセルの断面図である。
【図4A】静止状態における図１と類似の１Ｔ−ＦｅＲＡＭメモリセルの断面図であり、Ｖｄ，Ｖｇ、ＶｓおよびＶｂの電圧は０Ｖに設定される。
【図4B】“書き込み０”動作状態における図１と類似の１Ｔ−ＦｅＲＡＭメモリセルの断面図であり、ゲート電圧Ｖｇは０Ｖより大きく設定され、Ｖｄ、Ｖｓ、Ｖｂは０Ｖに設定される。
【図4C】“書き込み１”動作状態における図１と類似の１Ｔ−ＦｅＲＡＭメモリセルの断面図であり、ゲート電圧Ｖｇは、０Ｖ未満に設定され、Ｖｄ、Ｖｓ、Ｖｂは０Ｖに設定される。
【図5】本開示の別の実施形態による、１Ｔ−１ＣＦｅＲＡＭメモリセルの断面図である。
【図6】本開示の一実施形態による、ＦｅＲＡＭメモリセルアレイの一部の簡略化された平面図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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