発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、のターンオン時およびターンオフ時に合わせた過電流誤検出防止期間Ｔ１の長さは、ターンオン時でもターンオフ時でもない通常のオン時に過電流が発生した場合には長すぎて、過電流保護が間に合わなくなる可能性がある。但し、通常のオン時でも、ノイズの影響を除去するために、誤検出防止期間の設定は必要である。
また、特許文献１に記載されている従来例にあっては、センスＩＧＢＴのゲート閾値電圧Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）Ｓ}を主ＩＧＢＴのゲート閾値電圧Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）Ｍ}より高く設定する必要があり、このゲート閾値電圧の設定を容易に行うことができないとともに、時間差Δｔが固定されてしまい、時間差Δｔを変更したい場合でも調整がむずかしいという課題がある。さらに、通常のオン時には誤検出防止期間を設定できていない、という課題がある。 そこで、本発明は、従来例の課題に着目してなされたものであり、主ＩＧＢＴセルに対するセンスＩＧＢＴセルのゲート閾値電圧を変更することがないとともに、主回路ＩＧＢＴセルに対するセンスＩＧＢＴセルの電流の立ち上がりを調整することなく、通常のオン時でも短時間で応答するとともに、ターンオン時及びターンオフ時の過電流検出の誤検出を防止するようにした半導体素子の過電流保護装置を提供することも目的としている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、電圧制御形半導体素子のターンオン時及びターンオフ時における過電流の誤検出を防止しながら短時間で正確に過電流を検出することができる過電流保護装置を提供することができる。