発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１の発光素子においては、ｐ型半導体層上にルテニウムからなる反射電極層が直接接続されているが、ＲｕはＴｉ等の他の電極材料と比較してＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）との接触抵抗が高いという欠点がある。このため、発光素子の順方向電圧が上昇する原因となる。 また、特許文献２の発光素子が紫外発光素子である場合には、ｐ型半導体層のＡｌ組成が大きくなり、その上にＴｉ膜を形成しただけではｐ型半導体層とＴｉ膜がオーミック接触しない場合がある。特許文献２にはオーミック接触を形成するための特別な処理については開示されていないため、特許文献２の発光素子が紫外発光素子である場合には、ｐ型半導体層とＴｉ／Ｒｕ／Ａｕ多層構造を有するパッド電極とはオーミック接触しないものと考えられる。 本発明の目的は、紫外線を発する発光素子であって、ｎ電極の発光層のＡｌＧａＮ層との接触抵抗が低いために順方向電圧が低く、かつｎ電極の光反射特性が高いために光取出効率の高い発光素子、及びその製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、紫外線を発する発光素子であって、ｎ電極の発光層のＡｌＧａＮ層との接触抵抗が低いために順方向電圧が低く、かつｎ電極の光反射特性が高いために光取出効率の高い発光素子、及びその製造方法を提供することができる。