発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年、光通信システムの低消費電力化の要請に伴い、光通信システムに用いられる光半導体素子には、高い発光効率が求められている。発光効率を高めるためには、光半導体素子が、内部直列抵抗を低減し、且つ、活性層に対して効率的に電流を注入し得る構造を備えることが望まれる。光半導体素子の内部直列抵抗を低減する為には、例えば活性層上のクラッド層の不純物濃度を高めるとよい。また、活性層に対して効率的に電流を注入する為には、例えば一対の電流ブロック領域を活性層の両側に設けるとよい。 しかしながら、活性層上のクラッド層の不純物濃度を高めると、活性層への不純物の拡散が増大してしまう。特に、ｐ型不純物である亜鉛の拡散は、他の不純物と比較して速い。活性層への不純物の拡散は、非発光再結合中心の増加や、活性層を構成する多重量子井戸の混晶化の原因となり、結果として、光半導体素子の発光効率の低下や通電劣化を引き起こす。従って、他の方式により内部直列抵抗を低減することが望まれる。 本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、内部直列抵抗を低減し得る光半導体素子の製造方法および光半導体素子を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明による光半導体素子の製造方法および光半導体素子によれば、内部直列抵抗を低減することができる。