発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年、例えばＧａＮといった窒化物系半導体を用いたＨＥＭＴが知られている。ＨＥＭＴは、例えば結晶成長用基板上に順にエピタキシャル成長した、チャネル層、バリア層及びキャップ層を有している。チャネル層中のバリア層との界面に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成され、この２次元電子ガスがチャネル層として機能する。 キャップ層との表面には、電子捕獲準位（トラップ）が形成される。ゲートに逆バイアスを印加した状態でドレインバイアスを印加すると、ドレイン電極からゲート電極に向けて表面リーク電流が生じるが、その一部の電子は電子捕獲準位に捕獲される。捕獲準位の寿命（捕獲した電子を吐き出すまでの時間）は、マイクロ秒オーダであり、ＨＥＭＴの用途によってはオン／オフ周期よりも十分に長い時間となる。電子捕獲準位に電子が捕獲されると、チャネル層の表面が負に帯電した状態で維持される。これは、ゲート−ドレイン間のチャネル幅を狭くする（ゲート−ドレイン間の空乏領域を広げる）作用をもたらし、オン／オフ動作が連続して繰り返されると、ドレイン電圧が次第に減少する。このような現象は、電流コプラスと呼ばれる。窒化物系半導体を用いたＨＥＭＴにおいては、さらなる高速動作の実現のため、電流コラプスの低減が望まれている。 本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、電流コラプスを低減可能な窒化物半導体トランジスタの製造方法及び窒化物半導体トランジスタを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明による窒化物半導体トランジスタの製造方法及び窒化物半導体トランジスタによれば、電流コラプスを低減できる。