特許6917170IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

サブマージアーク溶接用フラックスおよびその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献1に記載されているサブマージアーク溶接用焼成型フラックスは、耐吸湿性に優れているものの、溶融型フラックスと比較すると耐吸湿性が若干劣っている。そのため、このサブマージアーク溶接用焼成型フラックスは、溶融型フラックスと比較して拡散性水素量が若干高い傾向にあり、また、これが原因で耐低温割れ性が劣る傾向にある。 本発明は前記状況に鑑みてなされたものであり、耐低温割れ性に優れたサブマージアーク溶接用フラックスおよびその製造方法を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

従来の高温焼成型フラックスには、溶融型フラックスのようにガラス質とすることで吸湿しないようにして拡散性水素量を低減する技術や、低温焼成型フラックスのように炭酸塩を最終製品に残存させて溶接時の水素分圧を下げて拡散性水素量を低減する技術はなかった。
【発明の効果】
本発明に係るサブマージアーク溶接用フラックスおよびその製造方法は、耐低温割れ性に優れている。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】実施例であるNo.10に係るフラックスのSEM写真(倍率は400倍)である。同図中、右下のスケールバーは10μmを示す。

【図2】比較例であるNo.29に係るフラックスのSEM写真(倍率は400倍)を示す。同図中、右下のスケールバーは10μmを示す。

【図3】(a)は、実施例であるNo.10に係るフラックスのSEM写真であり、(b)〜(d)は、(a)と同じ位置でのEDSによるX線マッピングである。なお、(b)はNa、(c)はSi、(d)はBaに関するX線マッピングである。

【図4】実施例であるNo.10に係るフラックスのEDSスペクトルである。

【図5】(a)は、比較例であるNo.29に係るフラックスのSEM写真であり、(b)〜(d)は、(a)と同じ位置でのEDSによるX線マッピングである。なお、(b)はNa、(c)はSi、(d)はBaに関するX線マッピングである。

【図6】比較例であるNo.29に係るフラックスのEDSスペクトルである。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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