発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１に記載の従来技術は、記憶部に記憶されている閾値電圧などパワー半導体素子の特性情報に基づいて、パワー半導体素子のゲート駆動条件を個別制御することにより、電流アンバランスを改善することが特徴となっている。一般的に、主にパワー半導体素子の出荷検査時にパワー半導体素子の静特性情報として閾値電圧を得ることができるが、実際にパワー半導体素子が電力変換装置に実装されて実動作している際は、測定することが非常に困難である。 電力変換装置が運転開始され、実動作している場合はパワー半導体素子の閾値電圧が経時劣化して、その電圧値が変動することがある。閾値電圧が変動すると、並列接続されたパワー半導体素子の電流アンバランスが発生し、その電流アンバランスにより、パワー半導体素子の発熱が不均等になる。その結果、特定のパワー半導体素子に発熱が集中して電力変換装置としての信頼性が低下する問題がある。 の状況から、パワー半導体素子の閾値電圧やオン電圧などの特性が経時劣化したとしても、各パワー半導体素子の発熱を均一化することが望まれていた。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の少なくとも一態様によれば、パワー半導体素子の特性が経時劣化した場合でも、各パワー半導体素子の発熱を均一化することができる。それにより、電力変換装置の信頼性向上と長寿命化を図ることができる。
した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。