【図1】本明細書に記述されている実施形態による単一のリード、複数のメモリセル、及び複数のトランジスタの概略斜視図である。

【図2】本明細書に記述されている別の実施形態による単一のリード、複数のメモリセル、及び複数のトランジスタの概略斜視図である。

【図3】本明細書に記述されている別の実施形態による単一のリード、複数のメモリセル、及び複数のトランジスタの概略斜視図である。

【図4A】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4B】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4C】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4D】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4E】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4F】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4G】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4H】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4I】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図4J】本明細書に記述されている一実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図5A】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図5B】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図5C】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図5D】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図5E】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図6A】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図6B】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図6C】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。

【図6D】本明細書に記述されている別の実施形態によるリード及びメモリセルを形成するためのプロセスステップを概略的に示す。