発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従来、半導体素子が形成されたおもて面（非照射面）はキズができることを避けるため、保護膜を形成して保護を行っていた。例えば、保護膜は、レジスト膜・テープ等を用いている。しかしながら、半導体ウエハ１１０の裏面には、保護膜は設けられていなかった。 ここで、メタルマスク１３１を半導体ウエハ１１０の裏面に装着する工程は、半導体クリーンルームレベルでない環境、例えば、クリーンルームでもクラスが低い（塵埃量が多い）環境で、実施される場合がある。この場合、メタルマスク１３１と半導体ウエハ１１０の裏面との間に異物が付着する場合がある。異物が付着した場合でも、ヘリウム照射後、メタルマスク１３１を外した後、半導体ウエハ１１０の枚葉処理による両面洗浄を行い、この後のバッチ式洗浄槽による両面洗浄を行うことで異物を除去できる場合が多い。
しかしながら、半導体ウエハ１１０に付着した異物が洗浄工程で除去されない場合がある。例えば、半導体ウエハ１１０の材料のシリコンと付着しやすい異物は除去されにくい。この場合、洗浄工程で除去しきれない異物は、その後のアニール工程（縦型炉で実施）において、以下のような問題を発生させる。図１２は、従来のＲＣ−ＩＧＢＴの製造方法におけるアニール炉を模式的に示す断面図である。洗浄工程で除去しきれない異物があると、そのまま焼き付いて不良の原因になったり、図１２のＡに示すように、異物１４０が直下の半導体ウエハ１１０に落下し、直下の半導体ウエハ１１０の表面上で不良が発生するという問題が生じる。また、異物１４０により、アニール炉が汚染され、他の半導体ウエハ１１０への汚染を起こすという問題が生じる。 また、アブソーバをメタルマスクと半導体ウエハとの間に配置する従来技術でも、アブソーバ、メタルマスクを半導体ウエハに装着する工程が、半導体クリーンルームレベルの環境で実施されないと、アブソーバが汚染源になり、アブソーバと半導体ウエハの裏面との間に異物が付着する場合がある。このため、洗浄工程で除去しきれない異物があると、アブソーバがない場合と同様の問題が生じる。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、高加速で飛程の深いイオン注入を実施する際に、異物が半導体ウエハに付着することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば高加速で飛程の深いイオン注入を実施する際に、異物が半導体ウエハに付着することを抑制できるという効果を奏する。