発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、を、Ｚｎ系はんだ（融点：３８２℃）等の高温はんだ材のリフロー
工程に適用するとき、温度４００℃でのＳｎからＺｎへの拡散係数が温度１７０℃での拡
散係数に比べて約１０^５倍大きいことを考慮すると、プロセス中にＳｎめっき成分が接合
層（はんだ）中に溶出する、もしくは、消失に至ることが懸念される。具体的には、Ｚｎ
中へのＳｎの拡散係数（Ｄ_{Ｓｎ→Ｚｎ}）が、１５０℃では、１．４×１０^―２０ｍ^２／ｓ
、１７０℃では、６．９×１０^―２０ｍ^２／ｓであるのに対し、４００℃では、６．９×
１０^―１５ｍ^２／ｓになる。その結果、下地Ｎｉめっきがはんだ中に拡散して、Ｚｎ−Ｎ
ｉ化合物が接合界面に形成することで界面抵抗が上昇し、電気的接続性の確保が困難にな
ることが想定される。 Ｚｎ系はんだに比べて融点が低いＢｉ系はんだ材（融点：２６２℃）を用いたリフロー
工程に関しても、プロセス中にＳｎめっき成分が接合層（はんだ）中に溶出する、もしく
は消失すると、接合界面にＢｉ−Ｎｉ化合物が形成して界面抵抗が上昇し、電気的接続性
の確保が困難になることが想定される。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明に係るはんだ接合部によれば、Ｓｎ拡散防止膜を成膜することにより、Ｎｉ処理
膜の、高温はんだ材を溶融させた接合層への拡散及び／または消失を抑制することができ
る。そして、これにより電気的接続性を確保した半導体装置を提供することが可能となる
。