【図1】本発明の第１実施例に係る半導体装置１００の一例を示す断面図である。

【図2】半導体装置１００の他の断面例を示す図である。

【図3】ゲート絶縁膜２７における、Ｘ軸方向の電界強度分布の一例を示す図である。

【図4A】比較例のゲート絶縁膜における電界強度の一例を示す。

【図4B】半導体装置１００のゲート絶縁膜２７における電界強度の一例を示す。

【図5A】比較例のゲート絶縁膜における電界強度の一例を示す。

【図5B】半導体装置１００のゲート絶縁膜２７における電界強度の一例を示す。

【図6】本発明の第２実施例に係る半導体装置２００の一例を示す断面図である。

【図7】本発明の第３実施例に係る半導体装置３００の一例を示す断面図である。

【図8】半導体装置３００の他の断面例を示す図である。

【図9】本発明の第４実施例に係る半導体装置４００の一例を示す断面図である。

【図10A】半導体装置１００の製造方法の一例を示す図である。

【図10B】半導体装置１００の製造方法の他の例を示す図である。

【図10C】半導体装置１００の製造方法の他の例を示す図である。

【図11】半導体装置２００の製造方法の一例を示す図である。

【図12】本発明の第５実施例に係る半導体装置５００の一例を示す断面図である。

【図13】半導体装置５００におけるボディ領域１２の周辺を拡大した拡大断面図である。

【図14】半導体装置５００の製造方法の一例を示す図である。

【図15】半導体装置５００の製造方法の他の例を示す図である。

【図16】半導体装置１００のＡ−Ａ'断面を示す平面図である。

【図17】半導体装置１００のＡ−Ａ'断面を示す平面図の他の例である。