要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】制御電圧に影響を与えて、トランジスタが少なくとも部分的にオンにするように動作するスイッチ回路及びスイッチングデバイスに対する過電圧保護を提供する。
【解決手段】スイッチ回路（１００）は、ドライバ回路（１１６）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）又はその他の高電子移動度の第１のトランジスタ（１０１）と結合されるシリコントランジスタ（１０２）又はその他の電流源回路を含む。ドライバ（１１６）は、第１のモードにおいて、制御電圧信号（ＧＣ１）を第１のトランジスタ（１０１）に送出するように動作し、また、第２のモードにおいて、第１のトランジスタ（１０１）に関連する検出された過電圧状況に応答して、電流源回路（１０２）を制御して、第１のトランジスタ（１０１）からシンク電流（Ｉ２）を導通させる。
【選択図】図１

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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