特開2023-167472IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > セイコーエプソン株式会社 > 特開2023-167472

技術分野

単結晶シリコン基板、液体吐出ヘッド及び単結晶シリコン基板の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】シリコン基板に形成された貫通孔における液体の流れを向上する。
【解決手段】少なくとも一部が液体の流路５１を構成する単結晶シリコン基板４０であって、流路５１の一部を構成するとともに単結晶シリコン基板４０を単結晶シリコン基板４０の基板面と交差する方向に貫通する貫通孔Ｎを備え、貫通孔Ｎは、金属アシスト化学エッチングで形成されるとともに、液体の流れる方向に沿う凹部及び凸部の少なくとも一方が延設されるスジ状部Ｌを有する。
【選択図】図３

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

非特許文献１のＳｉ－Ｄｅｅｐ－ＲＩＥは、１μｍ程度ごとに側壁保護膜形成とエッチングとを繰り返すエッチング方法であるため、形成される貫通孔の側壁にスキャロップと呼ばれる凹凸が該貫通孔の深さ方向と交差する方向に形成される。該凹凸は、液体の流れる方向である深さ方向と交差する方向に沿って形成されるため、該貫通孔に液体が流れると乱流が発生して液体の流れを乱すことがあるとともに、気泡や異物などが該凹凸に滞留して取り除きづらく液体の流れに影響を与えることがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

そこで、課題を解決するための本発明に係る単結晶シリコン基板は、少なくとも一部が液体の流路を構成する単結晶シリコン基板であって、前記流路の一部を構成するとともに前記単結晶シリコン基板を前記単結晶シリコン基板の基板面と交差する方向に貫通する貫通孔を備え、前記貫通孔は、金属アシスト化学エッチングで形成されるとともに、前記液体の流れる方向に沿う凹部及び凸部の少なくとも一方が延設されるスジ状部を有・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一実施例の液体吐出ヘッドの底面図及びその一部領域Ｘの拡大図。
【図2】 図１の液体吐出ヘッドの側面断面図。
【図3】 図１の液体吐出ヘッドの流路基板の底面側からの斜視図。
【図4】 図１の液体吐出ヘッドの流路基板の製造過程を表す図。
【図5】 図１の液体吐出ヘッドの流路基板及び封止板の製造方法を表すフローチャート。
【図6】 触媒膜のエッジ部に形成される凹凸の写真。
【図7】 図１の液体吐出ヘッドの流路基板のノズル内部の写真。
【図8】 図１の液体吐出ヘッドの封止板の斜視図。
【図9】 図１の液体吐出ヘッドの封止板の製造過程を表す図。
【図10】 図１の液体吐出ヘッド全体の製造方法を表すフローチャート。

選択図 図3出願人が指定した本件の代表的な図

１…液体吐出ヘッド、１１…ノズル形成面、１２…ノズル列、１２Ａ…ノズル列、１２Ｂ…ノズル列、２０…封止板（単結晶シリコン基板）、２０ａ…第１面（基板面、触媒膜形成面）、２０ｂ…第２面（基板面）、２１…第１貫通孔（傾斜貫通孔）、２１ａ…傾斜側壁、２２…第２貫通孔、２２ａ…垂直側壁、２３…圧電素子収容室、２４…開口部、２４ａ…傾斜面、２８…制御ＩＣ、２９…ＦＰＣ、３０…キャビティー基板、３０ａ…第３面（基板面、導通部形成面）、３０ｂ…第４面（基板面、流路形成面）、３１…電極部、３２…圧電素子、３３…電極膜（導通部）、３４…電極膜（導通部）、４０…流路基板（単結晶シリコン基板）、４０ａ…第５面（基板面、触媒膜形成面）、４０ｂ…第６面（基板面）、４１…圧力室、５１…流路、５１Ａ…流路、５１Ｂ…流路、５１Ｃ…流路、５１Ｄ…循環流路、２０１…単結晶シリコン基板、２０２…酸化膜、２０３…レジスト、２０４…Ａｕ膜（触媒膜）、２０４ｅ…エッジ部、Ｌ…スジ状部、Ｎ…ノズル（貫通孔）、Ｐ０…ピッチ、Ｐ１…ピッチ、Ｒ…凹凸

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.