特開2023-67855IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

本願は、一般に、磁場を感知する半導体デバイスに関し、特に、ホールセンサを備える半導体デバイス

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】ホールセンサを備える半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス500は、半導体ダイのデバイス側表面と平行である第1の平面に配されるホールセンサ506、507を含み、磁気コンセントレータから離間される、デバイス側表面上のボンドパッドを有する半導体ダイ505と、半導体ダイのデバイス側表面の上に形成される磁気合金層515を含む不動態化された磁気コンセントレータ512と、パッケージ基板上のダイパッド502のダイ側表面に搭載される、デバイス側表面とは反対の半導体ダイの裏側表面と、半導体ダイのボンドパッドをパッケージ基板のリード501に結合するボンドワイヤ513と、磁気コンセントレータ512、半導体ダイ、ボンドワイヤ、リードの一部及びダイパッドのダイ側表面を覆うモールド化合物503と、を含む。磁気合金層の上側表面は、ポリマー材料の保護層517によって覆われる。
【選択図】図5C

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 スモールアウトライントランジスタ(SOT)パッケージ感知におけるホールセンサ半導体デバイスを投影図に図示する。
【図2】 印加される磁場においてホールセンサと磁気コンセントレータとを備える半導体ダイを図示する。
【図3A】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3B】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3C】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3D】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3E】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3F】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3G】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3GG】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3H】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図3HH】 或る配置の半導体ダイ及び不動態化された磁気コンセントレータを形成するための選択された工程を一連の断面図に図示する。
【図4A】 半導体ウエハ上の半導体ダイを投影図に図示する。
【図4B】 個々の半導体ダイを近接図に図示する。
【図5A】 の配置のパッケージ化された半導体デバイスを平面図に図示する。
【図5B】 の配置のパッケージ化された半導体デバイスを投影図に図示する。
【図5C】 の配置のパッケージ化された半導体デバイスを断面図に図示する。
【図6A】 の配置を形成するための方法の選択された工程をフローチャートに図示する。
【図6B】 の配置を形成するための方法の選択された工程をフローチャートに図示する。

選択図 図5C出願人が指定した本件の代表的な図

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