特開2024-172878IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

アイソレータ、光スイッチ、光送受信器、データセンタ、及びアイソレータの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】半導体プロセスにおけるYIGの影響を低減するアイソレータ及びその製造方法並びに光スイッチ、光送受信器及びデータセンタを提供する。
【解決手段】アイソレータ10は、基板50と導波路20と絶縁層54と非相反性部材40とを備える。絶縁層54は、凹部30を有する。凹部30は、導波路20の少なくとも一部に重なって位置する。非相反性部材40は、凹部30に位置する。導波路20は、第1導波路21と第2導波路22とを含む。凹部30は、第1凹部31と第2凹部32とを含む。非相反性部材40は、第1凹部31に位置する第1非相反性部材と、第2凹部32に位置する第2非相反性部材とを含む。第1導波路21のうち第1非相反性部材に重なる部分における電磁波の伝搬方向と、第2導波路22のうち第2非相反性部材に重なる部分における電磁波の伝搬方向とが異なる。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

YIGを導波層として用いたアイソレータを半導体基板上に形成する場合、半導体プロセスにおけるYIGの影響を低減することが求められる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一アイソレータは、基板面を有する基板と、第1導波路及び第2導波路と、絶縁層と、第1非相反性部材及び第2非相反性部材とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路は、前記基板面の上に延在し、延在方向に沿ってTMモードの電磁波を伝搬させる。前記絶縁層は、前記基板面の上に位置し、前記第1導波路及び前記第2導波路の少なくとも一部を囲んで位置する。前記絶縁層は、前記第1導波路及び前・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一アイソレータ及びその製造方法によれば、半導体プロセスにおけるYIGの影響が低減され得る。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 一アイソレータの構成例を示す平面図である。
【図2】 導波路と凹部との位置関係の一例を示す平面図である。
【図3】 図2のA-A断面図である。
【図4】 凹部の側面の全体に非相反性部材が接する構成例を示す断面図である。
【図5】 導波路の上面と凹部の底面との間に絶縁層が残っている構成例を示す断面図である。
【図6】 凹部の底面が導波路の上面よりも低い構成例を示す断面図である。
【図7】 凹部の平面形状の他の例を示す平面図である。
【図8】 凹部の断面形状の他の例を示す平面図である。
【図9】 第1凹部及び第2凹部の延在方向が第1分岐部から第2分岐部に向かう方向に直交している構成例を示す平面図である。
【図10】 第1凹部の延在方向と第2凹部の延在方向とが交差する構成例を示す平面図である。
【図11】 磁場が第1分岐部と第2分岐部とを結ぶ方向に直交する方向に印加される場合に導波路が渦巻状に配置される構成例を示す平面図である。
【図12】 磁場が第1分岐部と第2分岐部とを結ぶ方向に印加される場合に導波路が渦巻状に配置される構成例を示す平面図である。
【図13】 導波路が略円形のレーザ照射領域に収まるように配置されている構成例を示す平面図である。
【図14】 レーザを照射する構成例を示す側面図である。
【図15】 レーザ照射によって結晶化した非相反性部材の表面の観察例である。
【図16】 非相反性部材の結晶の大きさと凹部の幅との関係の一例を示す断面図である。
【図17】 ヒーターを更に備えるアイソレータの構成例を示す平面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

10 アイソレータ 20 導波路(201:上面、21:第1導波路、22:第2導波路、211、212、221、222:折返部) 30 凹部(301、302、303、304:側面、305:底面、31:第1凹部、32:第2凹部) 40 非相反性部材 50 基板(50A:基板面、52:ボックス層、54:絶縁層) 61、62 ヒーター 70 照射装置(72:光源、74:レンズ、76:レーザ光、78:ステージ) 81 第1分岐部 82 第2分岐部 LS レーザ照射範囲

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