特開2024-179147IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置およびその製造方法に関し、特に、ツェナーダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢ内には、ｎ型のカソード領域ＮＺ、ｎ型のウェル領域ＮＷおよびｐ型のアノード領域ＰＺが形成されている。カソード領域ＮＺの不純物濃度は、ウェル領域ＮＷの不純物濃度よりも高い。平面視において、アノード領域ＰＺは、カソード領域ＮＺを内包し、ウェル領域ＮＷは、アノード領域ＰＺおよびカソード領域ＮＺを内包している。半導体基板ＳＵＢの上面からのウェル領域ＮＷの深さは、半導体基板ＳＵＢの上面からのアノード領域ＰＺの深さよりも大きい。半導体基板ＳＵＢの上面からのカソード領域ＮＺの深さは、アノード領域ＰＺおよびウェル領域ＮＷの各々の深さよりも大きい。
【選択図】図２

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

パワーデバイスを駆動する半導体装置は、ＤＥＳＡＴ検出回路（飽和コレクタ電圧検出回路）を搭載している。ＤＥＳＡＴ検出回路は、ノイズによる誤作動を防止するために、ＤＥＳＡＴ検出電圧の規格幅を狭くすることを必要としている。そのためには、ＤＥＳＡＴ検出回路内の基準電圧生成部の生成電圧の絶対値のバラツキは小さいことが好ましく、基準電圧生成部の温度特性は小さいことが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

一実施の形態によれば、半導体装置の性能を向上できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態１における半導体装置を示す平面図である。
【図2】 実施の形態１における半導体装置を示す断面図である。
【図3】 実施の形態１における半導体装置を示す断面図である。
【図4】 実施の形態１におけるアノード領域、カソード領域およびウェル領域の各々の不純物濃度プロファイルを示すグラフである。
【図5】 実施の形態１におけるツェナーダイオードの第１適用例を示す断面図である。
【図6】 実施の形態１におけるツェナーダイオードの第２適用例を示す断面図である。
【図7】 実施の形態１における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図8】 図７に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図9】 図８に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図10】 図９に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図11】 図１０に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図12】 図１１に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図13】 実施の形態２における半導体装置を示す平面図である。
【図14】 実施の形態２における半導体装置を示す断面図である。
【図15】 実施の形態３におけるカソード領域の不純物濃度プロファイルを示すグラフである。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

ＡＥ アノード電極 ＣＥ カソード電極 ＥＢＤ エミッタベースダイオード ＩＦ１ 絶縁膜 ＮＢＬ 分離領域（ｎ型の不純物領域） ＮＣ コレクタ領域（ｎ型の不純物領域） ＮＥ エミッタ領域（ｎ型の不純物領域） ＮＥＰ ｎ型の半導体層 ＮＲ 高濃度領域（ｎ型の不純物領域） ＮＷ ウェル領域（ｎ型の不純物領域） ＮＺ カソード領域（ｎ型の不純物領域） ＮＺａ カソード領域（ｎ型の不純物領域） ＮＶ ウェル領域（ｎ型の不純物領域） ＰＢ ベース領域（ｐ型の不純物領域） ＰＢＬ 分離領域（ｐ型の不純物領域） ＰｉＳＯ 分離領域（ｐ型の不純物領域） ＰＲ 高濃度領域（ｐ型の不純物領域） ＰＺ アノード領域（ｐ型の不純物領域） ＲＰ１ レジストパターン ＳＢ 支持基板 ＳＩ シリサイド膜 ＳＴＩ 素子分離部 ＳＵＢ 半導体基板 ＺＤ ツェナーダイオード

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