特開2024-56822IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

絶縁構造及びコンデンサを備えた半導体デバイス

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】トレンチ絶縁、コンデンサプロセスを統合し時間、コストを節約する。
【解決手段】絶縁構造（１２０）及びトレンチコンデンサ（１３０）を備えた半導体デバイス（１００）であって、絶縁構造及びトレンチコンデンサが異なる幅及び異なる深さの対応する第１、第２のトレンチ（１２１、１３１）をエッチングするための単一レジストマスクを用いて形成され、誘電体ライナ（１２３～１２５、１３１～１３５）がトレンチの側壁上に形成され、ポリシリコン（１２６、１３６）がトレンチを充填し、深ドープ領域（１２２、１３２）がトレンチを囲む。半導体デバイスはまた、メタライゼーション構造（１５４、１５６）の導電性特徴（１６０、１６２）を含み、導電性特徴は絶縁構造トレンチ（１２１）のポリシリコン（１２６）を深ドープ領域（１２２）に接続して絶縁構造（１２０）を形成する。
【選択図】図１

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 ディープトレンチ絶縁構造及びトレンチコンデンサを含む集積回路半導体デバイスの部分断面側面図である。
【図2】 図１の半導体デバイスの一部の上面図である。
【図3】 半導体デバイスを製作するため及び半導体デバイスの絶縁構造を製作するための方法を示すフローチャートである。
【図4】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図5】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図6】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図7】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図8】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図9】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図10】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図11】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図12】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図13】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図14】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図15】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図16】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図17】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。
【図18】 図３の方法に従った作製の様々な段階における図１及び図２の集積回路の部分断面側面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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