特許文献１に記載の非水ゲル電解質では、機械的強度が十分に高いとはいい難い。また、非特許文献１に記載の非水ゲル電解質は高分子含有量が多いために、非水電解液と比較して、イオン伝導度が一桁程度低いという問題がある。一方、非水電解質蓄電素子が備える非水ゲル電解質の非水溶媒として、負極活物質表面に安定な被膜を形成するフルオロエチレンカーボネート（ＦＥＣ）等のフッ素化環状カーボネートを適用することにより、充放電サイクル寿命試験後の容量維持率を高めることができるが、発明者らは、塩基触媒を使用し、ＦＥＣを含有する非水溶媒中でモノマーを架橋反応させ、架橋性高分子を形成するとともにゲル化させることで、非水ゲル電解質を得る方法を検討したところ、塩基触媒を使用する方法において、ＦＥＣを用いた場合、ゲル化が生じないことを見出した。さらに、ケイ素系活物質を有する負極を備える非水電解質蓄電素子は、負極活物質の充放電にともなう体積変化が大きいため、その変化に追随できずに負極活物質表面の被膜の亀裂生成が発生し易い。この亀裂部分で、継続的な非水電解質の分解が生じるため、ケイ素系活物質を有する負極を備える非水電解質蓄電素子は、充放電サイクルに伴う放電容量の低下が生じ易いという不都合を有する。

本発明の一側面に係る非水ゲル電解質は、架橋高分子と、非水溶媒と、電解質塩とを備え、架橋高分子の含有量は８質量％以下であり、架橋高分子が、下記式（１）で表される構造を含む架橋部位を有し、非水溶媒がフッ素化環状カーボネートを含む。