蛍光体部に入射した光（励起光）が蛍光体部に吸収された際に、発光のストークスロス及び非発光吸収により、蛍光体部が発熱する。このとき、蛍光体部の厚さが厚いと、厚み方向において蛍光体部に温度分布が生じる。具体的には、基板の上に設けられた蛍光体部において、励起光が照射される蛍光体部の上側（露出面側）部分では光吸収量が大きくなるが、励起光が蛍光体部の下側に透過するにつれて弱くなるため、蛍光体部の下側部分では光吸収量が小さくなる。そのため、蛍光体部に温度分布が生じる。この結果、蛍光体部は、蛍光体部自身が発生する熱によって発光効率が低下したり発光しなくなったりする。また、蛍光体部の熱伝導率が低いため、蛍光体部の上側部分で発生した熱を放熱することが難しく、蛍光体部の上側部分と下側部分との温度差が大きくなり、歪が大きくなる。したがって、蛍光体部の温度を下げるため及び歪を小さくするために、蛍光体部の厚さは、薄い方がよい。例えば、蛍光体部の厚さは８０μｍ以下にするとよい。

目的を達成するために、本発明に係る蛍光体デバイスの一態様は、蛍光体セラミックスからなる蛍光体基板と、前記蛍光体基板と接合され、前記蛍光体基板を支持する支持基板と、を備え、前記支持基板の熱伝導率は、前記蛍光体基板の熱伝導率よりも高い。