特開2025-94226IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

（関連出願の相互参照） 本出願は、「ＧＡＳ ＤＩＳＣＨＡＲＧＥ ＴＵＢＥ ＨＡＶＩＮＧ ＥＮＨＡＮＣＥＤ ＲＡＴＩＯ ＯＦ ＬＥＡＫＡＧＥ ＰＡＴＨ ＬＥＮＧＴＨ ＴＯ ＧＡＰ ＤＩＭＥＮＳＩＯＮ」の名称で２０１９年６月１９日に出願された米国仮出願第６２／８６３，７７７号の優先権を主張し、その開示は、その全体が参照により明示的に本明細書に組み込まれる。

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】ガス放電管（ＧＤＴ）は、２つの電極の間に密閉されたガス容量を有する装置であり、電気的擾乱の間に様々な用途に対して信頼性の高い効果的な保護を提供する。
【解決手段】ガス放電管は、各々がエッジ及び内向き面を含む第１及び第２の電極であって、第１及び第２の電極の内向き面は互いに向き合うようになっている、第１及び第２の電極を含む。ＧＤＴは、第１及び第２の電極の内向き面の間に密閉チャンバを画定するために第１及び第２の電極の内向き面のエッジの部分を接合及び封止するように実装された封止部をさらに含む。ＧＤＴは、密閉チャンバ内に面を形成し、かつ第１及び第２の電極の少なくとも一方の各々の内向き面の一部を覆うように実装された電気絶縁部であって、密閉チャンバ内のリーク経路が電気絶縁部の面を含むようになっている、電気絶縁部をさらに含む。
【選択図】図１Ａ

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

いくつかの実施態様では、各々がエッジ及び内向き面を含む第１及び第２の電極であって、第１及び第２の電極の内向き面は互いに向き合うようになっている、第１及び第２の電極を含むガス放電管（ＧＤＴ）に関する。ＧＤＴは、第１及び第２の電極の内向き面の間に密閉チャンバを画定するために第１及び第２の電極の内向き面のエッジの部分を接合及び封止するように実装された封止部をさらに含む。ＧＤＴは、密閉チャ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 比較的厚いスペーサの厚さ寸法を含むリーク経路を有するガス放電管（ＧＤＴ）を示す図である。
【図1B】 スペーサが減少されたスペーサの厚さに対してリーク経路長を増加させるために内向きの突出部を含むように示されている、図１Ａの例よりも薄いＧＤＴを示す図である。
【図2】 比較的薄くシンプルなスペーサの形状を用いながらリーク経路長が増加したＧＤＴの例を示す図である。
【図3】 スペーサが電極の外壁とほぼ同一平面上にある外壁を有しすることができる、リーク経路長が増加したＧＤＴの例を示す図である。
【図4】 スペーサが電極の外壁よりも横方向外側にある外壁を有することができる、リーク経路長が増加したＧＤＴの例を示す図である。
【図5】 図４のＧＤＴのより具体的な例を示す図である。
【図6】 いくつかの実施形態において、ＧＤＴが、封止機能を提供する構造と、リーク経路長を横方向に増加させる構造と別個に含むことができることを示す図である。
【図7】 いくつかの実施形態において、本明細書に記載されているような１つ又は複数の特徴を有するＧＤＴにおけるスペーサが２つ以上の層を含むことができることを同様に示す図である。
【図8A】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8B】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8C】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8D】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8E】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8F】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8G】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8H】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8I】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図8J】 図５の例示的なＧＤＴを製造するために用いることができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図9A】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9B】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9C】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9D】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9E】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9F】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9G】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9H】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9I】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図9J】 複数のＧＤＴ装置を製造するために用いることができるプロセスの様々な段階における単体化されたユニットのアレイ又はグループの平面図である。
【図10A】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10B】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10C】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10D】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10E】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10F】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10G】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10H】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10I】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図10J】 図９Ａ～図９Ｊの様々な段階の側断面図である。
【図11A】 別個のスペーサ無しで密閉チャンバを形成するために電気絶縁シールが第１及び第２の電極を接合し得る例示的なＧＤＴを示す図である。
【図11B】 別個のスペーサ無しで密閉チャンバを形成するために電気絶縁シールが第１及び第２の電極を接合し得る他の例示的なＧＤＴを示す図である。
【図12A】 別個のスペーサ無しでチャンバを形成するために、電気絶縁シールが内向き面を有する第１及び第２の電極を接合し得る例示的なＧＤＴを示す図である。
【図12B】 別個のスペーサ無しでチャンバを形成するために、電気絶縁シールが内向き面を有する第１及び第２の電極を接合し得る他の例示的なＧＤＴを示す図である。
【図13】 図１２Ａ及び図１２Ｂの例と同様の第１及び第２の電極を有するが、リーク経路長を増加させるように構成された電気絶縁シールを含む例示的なＧＤＴを示す図である。
【図14】 本明細書に記載された１つ又は複数の特徴を有し、クランプ装置と組み合わされたＧＤＴを含む回路保護装置の例を示す図である。
【図15】 本明細書に記載された１つ又は複数の特徴を有し、一方の面の上の第１のクランプ装置及び他方の面の上の第２のクランプ装置と組み合わされたＧＤＴを含む回路保護装置の他の例を示している。
【図16】 図１４の回路保護装置のより具体的な例となり得る回路保護装置を示す図である。
【図17】 図１５の回路保護装置のより具体的な例となり得る回路保護装置を示す図である。
【図18A】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図18B】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図18C】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図18D】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図18E】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図18F】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図18G】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。
【図18H】 複数の回路保護装置を製造するために実施することができるプロセスの様々な段階を示す図である。

選択図 図1A出願人が指定した本件の代表的な図

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