特開 2026-124752出願番号 特願 2025-247962
半導体装置
出願人 三星電子株式会社（識別番号 390019839）
2026年 特許公開件数ランキング 70位 242件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 142位 125件（※）
公報発行日 2026年7月31
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2026-124752 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】電気的特性が改善した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１０と、基板上に配置されるチャンネル層１３２と、チャンネル層の上に配置される第１バリア層１３６ａと、第１バリア層の上に配置される第２バリア層１３６ｂと、第２バリア層の上に配置され、第１バリア層及び第２バリア層の一部領域を貫通する第３バリア層１３６ｃと、第３バリア層の上に配置されるゲート電極１５５と、ゲート電極の両側に配置されるソース電極１７３及びドレイン電極１７５と、を有し、ソース電極及びドレイン電極は、第３バリア層の一部領域を貫通し、第２バリア層と一端が接続され、第２バリア層は、シリコンでドーピングされる。
【選択図】図２
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の半導体装置によれば、電気的特性が改善した半導体装置を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図
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