技術分野
半導体パッケージに関し、より具体的には、EMI遮蔽膜を含む半導体パッケージ
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】構成要素間の電磁気干渉遮断効果が向上した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ10は、配線パターンを含むパッケージ基板100と、
パッケージ基板上に位置し、ボディ220、ボディを貫通する貫通電極243及びグラウンド貫通電極245、貫通電極と接続される再配線パターン250及びグラウンド再配線パターン260、再配線パターンの少なくとも一部を取り囲む再配線絶縁層240並びにグラウンドインターポーザ基板パッド271及びインターポーザ基板パッド273を含むインターポーザ基板200と、インターポーザ基板上の第1チップ300と、インターポーザ基板上で第1チップと水平方向に離隔された第2チップ500と、第1チップの露出した表面及び第2チップの露出した表面を覆う遮蔽膜500と、を含み、遮蔽膜はグラウンドインターポーザ基板パッドと接する。
【選択図】図2
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、構成要素間の電磁気干渉遮断効果が向上した半導体パッケージを提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、技術的課題を解決するために、次のような半導体パッケージを提供する。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、構成要素間の電磁気干渉現象を効率的に防止することができる半導体パッケージを提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1A】
本発明の実施形態による半導体パッケージを概略的に示す平面図である。
【図1B】
本発明の実施形態による半導体パッケージを概略的に示す平面図である。
【図2】
図1BのA1-A1’線に沿った断面図である。
【図3】
図2の第1チップの一実施形態を概略的に示す断面図である。
【図4】
図2の第1チップの一実施形態を概略的に示す断面図である。
【図5】
本発明の例示的な実施形態による半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【図6】
本発明の例示的な実施形態による半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【図7】
本発明の例示的な実施形態による半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【図8】
本発明の例示的な実施形態による半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【図9】
本発明の例示的な実施形態による半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【図10】
本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図11】
本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図12】
本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図13】
本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図14】
本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図15】
本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するための断面図である。
1、10、11、12、13、14、20 半導体パッケージ
100 パッケージ基板
110 絶縁層
120 第1配線パターン(グラウンド配線パターン)
130 第2配線パターン
150 第2外部連結端子
160 第1外部連結端子(グラウンド外部連結端子)
170、327、370、470 アンダーフィル物質層
181 第1基板連結バンプ(グラウンド基板連結バンプ)
183 第2基板連結バンプ
200 インターポーザ基板
220 ボディ
240 再配線絶縁層
243 第2貫通電極
245 第1貫通電極(グラウンド貫通電極)
250 第2再配線パターン
260 第1再配線パターン(グラウンド再配線パターン)
271 第1インターポーザ基板パッド(グラウンドインターポーザ基板パッド)
273 第2インターポーザ基板パッド
275 ボンディング絶縁層
300、301 第1チップ
310 第1半導体チップ
311 半導体チップパッド
313、323 誘電体層
320 ベースチップ
321 ベースチップパッド
315、325 貫通電極
319、329 チップ連結バンプ
330 ダミーチップ
335 接着層
390 第1チップ連結バンプ
391 第1モールディング部材
395 第1チップパッド
397 第1チップボンディング絶縁層
400 第2チップ
490 第2チップ連結バンプ
495 第2チップパッド
497 第2チップボンディング絶縁層
500、501、502、503 遮蔽膜
690 第2モールディング部材
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