特開2026-145506IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

固体撮像素子の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】クロストークの発生を効果的に防止することができ、かつＤＣＲ特性の向上が図られた固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１の製造方法は、第１基板面３０ａと、第１基板面と反対側に位置する第２基板面３０ｂと、を備える基板層１５の第２基板面側から犠牲層５０を形成する犠牲層形成工程と、光電変換部３０を、光電変換部へ光が入射される第１基板面と反対側に位置する第２基板面側から基板層に形成する光電変換部形成工程（Ｓ１０６）と、基板層から犠牲層を除去し、犠牲層が除去された部分に金属を埋め込むことによって犠牲層を金属部６０に置き換える金属部置換工程（Ｓ１０９）と、を有する。
【選択図】図２

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

一般的なバックサイドDTI方式では、基板層の裏面側に金属部を埋め込むための溝部（トレンチ）を形成し、溝部を形成した後、ノイズ等の発生を防止するための固定電荷膜を形成する。固定電荷膜を形成した後、保護膜（絶縁膜）を溝部内に配置する。そして、保護膜が配置された溝部内に金属部を埋め込む。そのため、バックサイドDTI方式では、金属部の埋め込み深さが金属部よりも先に基板層に形成された保護膜の深さ方向の位置によって制限されてしまう。したがって、画素分離部を基板層の表面側のより深い位置まで延ばすことが難しくなる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題は、以下（１）～（１１）の何れかの手段により達成される。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一固体撮像素子の製造方法は、隣接画素間のクロストークの発生を効果的に防止することができ、かつＤＣＲ特性の向上が図られた固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１固体撮像素子を示す断面図である。
【図2】 第１固体撮像素子の製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図3】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図4】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図5】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図6】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図7】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図8】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図9】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図10】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図11】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図12】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図13】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図14】 第１固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図15】 第１実施形態の改変例１に係る固体撮像素子の製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図16】 第１実施形態の改変例１に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図17】 第１実施形態の改変例１に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図18】 第１実施形態の改変例２に係る固体撮像素子の製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図19】 第１実施形態の改変例２に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図20】 第１実施形態の改変例２に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図21】 第１実施形態の改変例２に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図22】 第１実施形態の改変例２に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図23】 第１実施形態の改変例２に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図24】 第１実施形態の改変例２に係る固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図25】 第２固体撮像素子の製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図26】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図27】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図28】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図29】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図30】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図31】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図32】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図33】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図34】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図35】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図36】 第２固体撮像素子の製造方法を示す概略断面図である。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

１ 固体撮像素子 １０ ＰＮ接合部 １１ 第１半導体層 １２ 第２半導体層（カソード電極層） １３ アバランシェ領域 ２０ アノード電極層 ３０ 光電変換部 １５ 基板層 １５Ａ 基板層 １５Ｂ 基板層 ３０ａ 第１基板面 ３０ｂ 第２基板面 ４０ 画素分離部 ５０ 犠牲層 ６０ 金属部 ６１ 金属部の一端部 ６３ 金属部の他端部 ７０ 不純物層 ８０ 溝部 ９０ 保護膜 １１０ 絶縁層 １１１ 第１絶縁層 １１２ 第２絶縁層 １１３ 第３絶縁層 １２０ コンタクトホール １３０ 溝部 １４０ 導電部 １５１ 金属配線層 １５２ 金属配線層 １５５ 金属反射層 １６０ 底部基板層 １７０ 保護層 １７１ 第１保護層 １７２ 第２保護層 １８０ コンタクトホール ２００ 金属部

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