特開2026-151654IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 富士電機株式会社 > 特開2026-151654

技術分野

半導体装置、及び半導体装置の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】半導体装置の放熱ベース基板の曲げ剛性を向上する。
【解決手段】半導体装置１０は、おもて面に半導体素子１２ａ～１２ｃが搭載された絶縁回路基板１１と、矩形状をなす放熱ベース基板１４を有する。放熱ベース基板１４には、絶縁回路基板１１の裏面が接合される上面と、上面と対向する下面と、互いに対向する２つの第１側面１４ｂ１，１４ｂ２と、２つの第１側面１４ｂ１，１４ｂ２の延伸方向との直交方向に延伸し互いに対向する２つの第２側面１４ｃ１，１４ｃ２とが設けられる。放熱ベース基板１４の２つの第１側面１４ｂ１，１４ｂ２と２つの第２側面１４ｃ１，１４ｃ２とには、放熱ベース基板１４の内側に底部１４ｅ１を有する凹部１４ｅが設けられている。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本件実施形態の課題としては、半導体装置の放熱ベース基板の曲げ剛性を向上させることである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、おもて面に半導体素子が搭載された絶縁回路基板と、矩形状をなし、前記絶縁回路基板の裏面が接合される上面と、前記上面と対向する下面と、互いに対向する２つの第１側面と、前記２つの第１側面の延伸方向との直交方向に延伸し互いに対向する２つの第２側面とが設けられた放熱ベース基板と、を有し、前記２つの第１側面と前記２つの第２側面とには、前記放熱ベース基板の内側に底部を有する凹部が設・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

１つの側面では、半導体装置の放熱ベース基板の曲げ剛性を向上できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体装置の一例の上面図（Ａ）及びＩ－Ｉ線における断面図（Ｂ）である。
【図2】 ＩＩ－ＩＩ線における断面図である。
【図3】 放熱ベース基板の斜視図である。
【図4】 放熱ベース基板に形成されている高密度領域を説明する平面図である。
【図5】 冷却体の接続例を示す上面図（Ａ）及びＶ－Ｖ線における断面図（Ｂ）である。
【図6】 凹部を有さない放熱ベース基板を用いた場合の液状化合物の押し出しの例を示す図である。
【図7】 凹部の形状の違いによる機能の差異を説明する図である。
【図8】 放熱ベース基板の変形例を示す斜視図である。
【図9】 凹部の端部を角形状または鋭角状とした場合のクラック発生例を示す図である。
【図10】 凹部の形成位置の変形例を示す図である。
【図11】 半導体装置の製造プロセスの一例の流れを説明する図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１０ 半導体装置 １１ 絶縁回路基板 １１ａ 絶縁基板 １１ｂ，１１ｃ 金属板 １２ａ～１２ｃ 半導体素子 １３ａ～１３ｃ，１５ 接合材 １４，３０，４０，５０～５２，６０ 放熱ベース基板 １４ａ，６０ａ 上面 １４ｂ１，１４ｂ２，５０ａ１，５０ａ２ 第１側面 １４ｃ１，１４ｃ２，５０ｂ１，５０ｂ２ 第２側面 １４ｄ，６０ｂ 下面 １４ｅ，４０ａ１～４０ａ４，５０ｃ１，５０ｃ２，５１ａ，５２ａ，６０ｃ 凹部 １４ｅ１ 底部 １４ｆ１～１４ｆ４ 貫通孔 １４ｇ１ 高密度領域 １４ｇ２ 領域 １６ 収容体 ２０ 液状化合物 ２０ａ 押し出し部 ２１ 冷却体 ２２ａ～２２ｄ 締結ねじ ５１ｂ，５２ｂ クラック

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.