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公報発行日 2026年9月29
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2026-152634 ログイン済みの方はこのURLへ
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【課題】駆動トランジスタのゲート電極面積を最大化するようにソース/ドレイン領域を分離構造物上に積層し、別途のソース/ドレイン領域を形成する導電層を分離構造物上に提供して、ノイズを最小化するイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサ1は、基板101、ピクセル領域のそれぞれに配置され、光電変換領域から伝達された電荷を保存するフローティングディフュージョン領域FD、フローティングディフュージョン領域の電荷に応じた信号を伝送する回路素子、フローティングディフュージョン領域及び回路素子を定義する素子分離領域105を含み、回路素子のうち少なくとも1つは、基板に配置されるゲート構造体GS及びその両側に配置されるソース/ドレイン領域S/Dを含み、ソース/ドレイン領域のうち少なくとも1つは、素子分離領域上に配置され、ゲート構造体の下部の基板と接触し、基板とは異なる物質を含む導電層を有する。
【選択図】図4
本発明の一実施形態によると、ソースフォロワバッファ増幅器である駆動トランジスタのゲート電極面積を最大化するように駆動トランジスタのソース/ドレイン領域を分離構造物上に別途形成してゲート電極の面積を確保してノイズを最小化することができる。
別途のソース/ドレイン領域を形成する導電層を、分離構造物を一部除去した後に埋め込み型で提供することにより、不要なキャパシタンスを最小化することができる。
様々なレイアウトで分離構造物上に導電層を形成してソース/ドレイン領域を共有してコンタクトプラグの個数を最小化することができる。
本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解することができる。
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