特開2026-154865IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

基板に対してエッチングを行う技術

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】エッチングの均一性を向上する。
【解決手段】基板処理装置１の第１電極６１は、基板９に電気的に接続する。第２電極６２は、処理液に電気的に接続する。電源部６３は、第１電極６１と第２電極６２との間に電圧を印加する。ノズル５１は、基板９の上方から基板９の上面９１に向けて処理液を吐出する。ノズル移動機構５５は、回転中の基板９の上方において、ノズル５１を基板９の中央部と周縁部との間で水平に揺動させる。第２電極６２は、基板９の上面９１と上下方向に対向する。第２電極６２は、基板９の上面９１よりも小さい平面状の下面６２１を有する部材である。第２電極６２は、回転中の基板９の上方において、第２電極６２の下面６２１と基板９の上面９１との間の間隙に処理液が満たされて液膜が形成されている状態で、基板９の中央部と周縁部との間で水平に揺動される。
【選択図】図２

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、特許文献１の基板処理装置では、基板の上面全体に形成された液膜の中央部にエッチング用の電極を接触させているため、基板上の位置によって電極からの距離が異なり、エッチングレートにばらつきが生じるおそれがある。また、特許文献２の基板処理装置では、基板の上面上に載置された枠体内に処理液を貯留し、当該処理液の中央部に電極を接触させているため、特許文献１と同様に、基板上の位置によってエッチングレートにばらつきが生じるおそれがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の態様１は、基板に対してエッチングを行う基板処理装置であって、上面に被処理膜を有する基板を水平状態で保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転させる基板回転機構と、エッチング用の処理液を前記基板の前記上面に供給して前記被処理膜に接触させる処理液供給部と、前記基板に電気的に接続する第１電極と、前記処理液に電気的に接続する第２電極と、前記第１電極と前記第２電・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明では、エッチングの均一性を向上することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 基板処理システムの平面図である。
【図2】 第１の実施の形態に係る基板処理装置の側面図である。
【図3】 一のチャックピン近傍の部位を拡大して示す図である。
【図4】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図5】 基板の処理の流れを示す図である。
【図6】 基板処理装置の側面図である。
【図7】 基板処理装置の側面図である。
【図8A】 印加電圧の波形を示す図である。
【図8B】 印加電圧の波形を示す図である。
【図9A】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図9B】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図9C】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図9D】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図10A】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図10B】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図10C】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図10D】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図11】 実験装置を示す図である。
【図12】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図13】 他の基板処理装置の側面図である。
【図14】 第２の実施の形態に係る基板処理装置の側面図である。
【図15】 第３の実施の形態に係る基板処理装置の側面図である。
【図16】 処理液供給部近傍を示す平面図である。
【図17】 基板の処理の流れを示す図である。
【図18】 基板処理装置の側面図である。
【図19】 実験装置を示す図である。
【図20】 実験結果を示す図である。
【図21】 第１ノズルおよび第２電極近傍を示す拡大図である。
【図22】 基板処理装置における処理結果を示す図である。
【図23】 処理液供給部近傍を示す平面図である。
【図24】 処理液供給部近傍を示す平面図である。
【図25】 処理液供給部近傍を示す平面図である。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

１，１ａ～１ｃ 基板処理装置 ５，５ｃ～５ｆ 処理液供給部 ９ 基板 ２１ 基板保持部 ２３ 基板回転機構 ５１ ノズル ５１ｃ，５１ｄ 第１ノズル ５５ ノズル移動機構 ６１，６１ａ 第１電極 ６２，６２ｂ，６２ｃ，６２ｆ 第２電極 ６３ 電源部 ８１ 電源制御部 ９１ 上面 ９２ 下面 ９３ 微細パターン ９５ 凹部 ９６ 被処理膜 ５１６，５１６ｄ 第１吐出口 ５２６ 第２吐出口 ６２１，６２１ｂ，６２１ｃ （第２電極の）下面 ６２２ 第２電極移動機構 ９４２ 側壁表面 Ｊ１ 中心軸

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