特開2026-154867IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

基板に対してエッチングを行う技術

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】エッチングレートを増大させる。
【解決手段】基板処理装置1は、基板保持部21と、第2吐出部52と、第1電極(例えば、第1吐出部51)と、を備える。基板保持部21は、上面91に被処理膜を有する基板9を水平状態で保持する。第2吐出部52は、エッチング用の処理液を基板9の上面91に供給して被処理膜に接触させる。第2吐出部52は、基板9と非接触状態にて基板9の上面91上の処理液に電気的に接続される。第1電極は、基板9と非接触状態にて基板9の上面91上の処理液に電気的に接続される。電源部63は、当該第1電極と、第2電極である第2吐出部52との間に電圧を印加する。これにより、エッチングレートを増大させることができる。
【選択図】図2

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、基板のエッチング工程では、エッチングレートの更なる増大が求められている。特に、通常のエッチング方法ではエッチングレートが大きく低下する微細凹部内の膜のエッチングについて、エッチングレートの更なる増大が求められている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の態様1は、基板に対してエッチングを行う基板処理装置であって、上面に被処理膜を有する基板を水平状態で保持する基板保持部と、エッチング用の処理液を前記基板の前記上面に供給して前記被処理膜に接触させるとともに、前記基板と非接触状態にて前記基板の前記上面上の前記処理液に電気的に接続される吐出部と、前記基板と非接触状態にて前記基板の前記上面上の前記処理液に電気的に接続される第1電極と、前記第1・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明では、エッチングレートを増大させることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 基板処理システムの平面図である。
【図2】 第1の実施の形態に係る基板処理装置の側面図である。
【図3】 処理液供給部および基板を示す平面図である。
【図4】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図5】 基板の処理の流れを示す図である。
【図6】 基板処理装置の側面図である。
【図7】 処理液供給部および基板を示す平面図である。
【図8A】 印加電圧の波形を示す図である。
【図8B】 印加電圧の波形を示す図である。
【図9】 実験装置を示す図である。
【図10】 基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図11】 実験装置を示す図である。
【図12】 実験結果を示す図である。
【図13】 他の処理液供給部および基板を示す平面図である。
【図14】 他の基板処理装置の側面図である。
【図15】 処理液供給部、第1電極および基板を示す平面図である。
【図16】 第2の実施の形態に係る基板処理装置の側面図である。
【図17】 基板の処理の流れを示す図である。
【図18】 基板処理装置の側面図である。
【図19】 他の実験装置を示す図である。
【図20】 他の基板処理装置の側面図である。
【図21】 基板の処理の流れを示す図である。
【図22】 他の基板処理装置の側面図である。
【図23】 他の基板処理装置の側面図である。
【図24】 他の基板処理装置の側面図である。
【図25】 基板の処理の流れを示す図である。
【図26】 他の基板処理装置の側面図である。
【図27】 他の基板処理装置の側面図である。
【図28】 他の基板処理装置の側面図である。
【図29】 他の基板処理装置の側面図である。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

1,1a~1e 基板処理装置 9 基板 21 基板保持部 23 基板回転機構 31 トッププレート 33 トッププレート移動機構 50c,50d 液膜 51 第1吐出部 52 第2吐出部 55,56 ノズル移動機構 57 下吐出部 61a,61e 第1電極 62c,62d 第2電極 63 電源部 81 電源制御部 91 (基板の)上面 92 (基板の)下面 96 被処理膜 311 (トッププレートの)下面 511 第1ノズル 521 第2ノズル 621c,621d (第2電極の)下面 J1 中心軸 P1 第1位置 P2 第2位置

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