技術分野
基板を処理する基板処理装置および基板処理装置の制御方法に関する。基板は、例えば、半導体基板、FPD(Flat Panel Display)用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。FPDは、例えば、液晶表示装置、有機EL(electroluminescence)表示装置などが挙げられる。
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】処理液中の気泡の発生を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1のコントローラは、プレ濾過動作として、第1中間弁ISOが開いてから第2中間弁BARが開くまでの間、第1中間弁ISOを開き、かつ入口弁IN、出口弁OT2および第2中間弁BARを閉じた状態で、充填ポンプFPに、充填用圧力センサで計測された圧力値が第2供給圧力になるように充填ポンプFP内の処理液の圧力を調整させること、第1中間弁ISOが開いた後、第1中間弁ISOを開き、かつ入口弁IN、出口弁OT2および第2中間弁BARを閉じた状態で、吐出ポンプDPに、吐出用圧力センサで計測された圧力値が第3供給圧力になるように、吐出ポンプDP内の処理液の圧力を調整させること、を行う。
【選択図】図2
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
従来から、処理液(例えばレジスト)中のパーティクル削減は重要な課題である。パーティクル発生の原因の1つは、処理液中の気泡である。気泡と塗布液(例えばレジスト)との界面でゲルが発生し、ゲル自体がパーティクルとなる。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る、基板を処理する基板処理装置であって、鉛直方向に積層された複数個の処理チャンバと、前記複数個の処理チャンバの少なくとも1つに処理液を供給する液供給機構と、コントローラと、を備え、前記複数個の処理チャンバは各々、基板を保持するチャックと、前記チャックに保持された前記基板に処理液を吐出するノズルと、を備え、前記・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明に係る基板処理装置および基板処理装置の制御方法によれば、処理液中の気泡の発生を抑制することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。
【図2】
基板処理装置の配管図である。
【図3】
第1ポンプ機構の概略構成を示す側面図である。
【図4】
制御に関する構成を説明するためのブロック図である。
【図5】
第1ポンプ機構の動作を説明するためのフローチャートである。
【図6】
(a)は、準備完了動作を示す図であり、(b)は、吐出動作を示す図であり、(c)は、濾過動作を示す図であり、(d)は、パージ動作を示す図であり、(e)は、充填動作を示す図である。
【図7】
濾過動作(プレ濾過動作と実濾過動作)を説明するための図である。
【図8】
充填用圧力センサおよび吐出用圧力センサの各々で計測された圧力値の変化を説明するための図である。
【図9】
実施例2に係るパージ動作を説明するための図である。
【図10】
実施例2に係る、充填用圧力センサおよび吐出用圧力センサの各々で計測された圧力値の変化を説明するための図である。
【図11】
実施例3に係るパージ動作を説明するための図である。
【図12】
実施例3に係る、充填用圧力センサおよび吐出用圧力センサの各々で計測された圧力値の変化を説明するための図である。
1 … 基板処理装置
3(3A,3B,3C,3D) … 処理チャンバ
7 … 液供給機構
9 … スピンチャック
13 … ノズル
41 … 第1ポンプ機構
45 … 送り配管
45A,45B,45C,45D … 配管
46,48 … 枝配管
55,71 … ダイアフラム
57,73 … ポンプ駆動機構
M1,M2 … 電動モータ
81 … フィルタ、
IN … 入口弁
ISO … 第1中間弁
BAR … 第2中間弁
OT2 … 出口弁
85 … 戻り配管
FP … 充填ポンプ
DP … 吐出ポンプ
101 … コントローラ
103 … メモリ
SSF … 充填用圧力センサ
SSD … 吐出用圧力センサ
P1 … 第1供給圧力
P2 … 第2供給圧力
P3 … 第3供給圧力
P4D … 濾過圧力
P7 … 第1パージ圧力
P8 … 第2パージ圧力
GR1 … 第1合流管
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