特開2026-157295IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

基板処理装置に関する。表面処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】薄く、かつ良質なＩＬ（interfacial layer）を形成する。
【解決手段】基板処理装置（１００）は、基板（Ｗ）に対してそれぞれ所定の処理を行う複数の処理ユニット（２０）と、ロードポート（ＬＰ）に保持された収容器（Ｐ）および受渡部との間で基板（Ｗ）の搬送を行う第１搬送ロボットと、前記受渡部と処理ユニット（２０）との間で基板（Ｗ）の搬送を行う第２搬送ロボットと、を備え、処理ユニット（２０）は、ＷＥＴ装置（３０）と、ＦＬＡ装置（６０）と、ＣＬ（５０）と、を備える。
【選択図】図２

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、近年、ロジックデバイスは高性能化が求められ、ロジックデバイスのサイズは微細化している。ロジックデバイスの微細化に伴い、電界トランジスタ（ＦＥＴ）のゲートとチャネルとの間に位置するＩＬ（interfacial layer）は、デバイス性能の向上のために更に膜厚を薄くし、かつ、膜質が良質である必要が有る。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

の課題を解決するために、本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板を収容する収容器を保持する保持ユニットと、前記基板に対してそれぞれ所定の処理を行う複数の処理ユニットと、前記保持ユニットに保持された前記収容器および受渡部との間で前記基板の搬送を行う第１搬送ロボットと、前記受渡部と前記処理ユニットとの間で前記基板の搬送を行う第２搬送ロボットと、を備え、前記処理ユニットは、酸化性処理液を、前記・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、薄く、かつ良質なＩＬ（interfacial layer）を形成することが可能な基板処理装置を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施形態１に係る基板処理装置の概略構成を示す概略平面図である。
【図2】 実施形態１に係る基板処理装置の概略構成を示す概略側面図である。
【図3】 実施形態１に係る基板処理装置の概略構成を示す概略側面図である。
【図4】 ＷＥＴ装置の構成の一例を示す概略側面図である。
【図5】 ＦＬＡ装置の構成の一例を示す概略側面図である。
【図6】 基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【図7】 第２センターロボットの第１変形例を示す図である。
【図8】 第２センターロボットの第２変形例を示す図である。
【図9】 実施形態２に係る基板処理装置の概略構成を示す概略平面図である。
【図10】 実施形態２に係る基板処理装置の概略構成を示す概略側面図である。
【図11】 実施形態２に係る基板処理装置の概略構成を示す概略側面図である。
【図12】 フラッシュランプアニールによる加熱処理前後における基板Ｗのシリコン酸化膜の膜厚の変化を示す図である。
【図13】 各加熱処理条件における加熱処理後のシリコン酸化膜の膜厚およびシリコン強度を示すグラフである。
【図14】 各加熱処理条件における加熱処理後のシリコン酸化膜の膜厚およびシリコン強度を示すグラフである。
【図15】 各加熱処理条件における加熱処理後のシリコン酸化膜の膜厚およびシリコン強度を示すグラフである。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

８ 不活性ガス供給装置（不活性ガス供給部） １０ インデクサロボット（第１搬送ロボット） ２０ 処理ユニット ２１ 第１タワー（第１ユニット保持構造） ２２ 第２タワー（第２ユニット保持構造） ２３ 第３タワー ２５ タワー群（ユニット保持構造群） ３０ ＷＥＴ装置（処理液供給部） ３０Ａ 第１ＷＥＴ装置（第１処理液供給部） ３０Ｂ 第２ＷＥＴ装置（第２処理液供給部） ４０ ＡＬ ５０ ＣＬ（冷却部） ６０ ＦＬＡ装置（加熱部） ７０ 第１センターロボット（第２搬送ロボット） ８０ 第２センターロボット（第２搬送ロボット） ８５ ハンド（第２ハンド） ８８ ハンド（第１ハンド） １００ 基板処理装置 ＤＰ１ 第１受渡部 ＤＰ２ 第２受渡部 ＬＰ ロードポート（保持ユニット）

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