特開2026-158974IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

エッチング方法およびエッチング装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】より速やかに絶縁基板に複数の貫通穴を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】絶縁基板Ｗの第１主面Ｗａに配置された複数の第１開口３１ａを有する導電性の第１マスク３１に対して第１ガス空間Ｇ１を隔てて対面するプラズマリアクタ５が、第１ガス空間Ｇ１内のガスをプラズマ化させ、プラズマを第１マスク３１に作用させて、絶縁基板Ｗに対して第１マスク３１とは反対側に設けられた電極板４と、第１マスク３１との間で電界を生じさせ、前記電極板と前記第１マスクとの間にプラズマを発生させる。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

レーザ加工では、ガラス系基板にマイクロクラックが生じるおそれがある。このため、ガラス系基板を低速に加工するか、あるいは、パルスレーザを用いてガラス系基板を加工することが望ましい。しかしながら、このような手法では、複数の貫通穴を形成するために比較的に長い時間が必要であった。特に、貫通穴の個数が数百万個以上になると、レーザ加工では、スループットが低い。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

エッチング方法は、絶縁基板の第１主面に配置された複数の第１開口を有する導電性の第１マスクに対して第１ガス空間を隔てて対面するプラズマリアクタが、前記第１ガス空間内のガスをプラズマ化させ、プラズマを前記第１マスクに作用させて、前記絶縁基板に対して前記第１マスクとは反対側に設けられた電極板と、前記第１マスクとの間で電界を生じさせ、前記電極板と前記第１マスクとの間にプラズマを発生させる。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

より速やかに絶縁基板に複数の貫通穴を形成することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、第１実施形態にかかるエッチング装置の構成の一例を概略的に示す側面図である。
【図2】 図２は、第１マスクの一部の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図3】 図３は、プラズマリアクタの構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図4】 図４は、制御部の内部構成の一例を概略的に示す図である。
【図5】 図５は、エッチング装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図6】 図６は、エッチング装置の構成の別例を概略的に示す図である。
【図7】 図７は、第２実施形態にかかるエッチング装置の構成の一例を概略的に示す側面図である。
【図8】 図８は、第２実施形態にかかるエッチング装置によって貫通穴が形成された絶縁基板の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図9】 図９は、第３実施形態にかかるエッチング装置の構成の第１例を概略的に示す側面図である。
【図10】 図１０は、第３実施形態にかかるプラズマリアクタの構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図11】 図１１は、第３実施形態にかかるエッチング装置の構成の第２例を概略的に示す側面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１ エッチング装置 ２ 基板被配置部 ２１ 第１誘電部分 ２２ 第２誘電部分 ３１ 第１マスク ３１ａ 第１開口 ３２ 第２マスク ３２ａ 第２開口 ４ 電極板 ５ プラズマリアクタ Ｇ１ 第１ガス空間 Ｇ２ 第２ガス空間 Ｗ 絶縁基板 Ｗａ 第１主面 Ｗｂ 第２主面

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